А.А. Арендаренко - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: arendarenko.pulsar@mail.ru В.Н. Данилин - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: danilin.pulsar@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru Р.И. Тычкин - начальник НИЦИТ, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: kb-it@mail.ru

Рассмотрены особенности выращивания наногетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ-транзисторов. Промоделированы процессы выращивания гетероструктур InAlN/GaN в реакторе со струйным вводом компонентов Aixtron CCS.

 

1. Кищинский А.А. Широкополосные транзисторные усилители СВЧ-диапазона: смена поколений // Электроника: НТБ. 2010. №. 2.
2. Medjdoub F.et al. Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology // Open Electrical & Electronic Engineering Journal. 2008. Т. 2. С. 1-7.
3. Cheng, Kai, et al. Very low sheet resistance AlInN/GaN HEMT grown on 100 mm Si (111) by MOVPE / Physica status solidi (c) 7.78 (2010): 1967-1969.
4. Sun, Haifeng,et al. 100-nm-Gate (Al, In) N/GaN HEMTs Grown on SiC With / Electron Device Letters, IEEE 31.4 (2010): 
5. P. 293-295.
6. Lee D.S. et al. InAlN/GaN HEMTs with AlGaN back barriers // Electron Device Letters. IEEE. 2011. Т. 32. №. 5. С. 617-619.
7. Lobanova A.V.et al. Effect of V/III ratio in AlN and AlGaN MOVPE // Journal of crystal growth. 2006. Т. 287. №. 2. С. 601-604.
8. Virtual Reactor - Software for Modeling of Long-Term Growth of Bulk Crystals. http://www.str-soft.com/products/Virtual_Reactor/index.htm
9. Field Effect Transistor Integrated Simulator. http://www.str-soft.com/products/FETIS/
10. Буробин В.А. Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ транзисторах с высокой удельной выходной мощностью // Успехи современной радиоэлектроники. 2014. № 9. С. 48-51.