350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №10 за 2012 г.
Статья в номере:
Механизмы ограничения токопрохождения в мелкокристаллических слоях nCdTe:In до развития токовой неустойчивости
Ключевые слова: CdTe тонкие пленки полупроводники
Авторы:
В.В. Сорочан - к.ф.-м.н., Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: vsorochan@mail.ru, vitsorochan@yandex.ru
Аннотация:
Раскрываются механизмы, ограничивающие токопрохождение в образцах планарной In-nCdTe:In-In и сэндвич-In-nCdTe:In-SnO2 структур до развития в них токовой неустойчивости. Установлено, что вольт-амперные характенистики (ВАХ) образцов In-nCdTe:In-In обусловлены существованием в слоях nCdTe:In межкристаллических потенциальных барьеров, ограничивающих их проводимость. На основании исследования ВАХ пленочных сэндвич-структур In-nCdTe:In-SnO2 установлено, что до развития токовой неустойчивости перенос носителей заряда при напряженностях электрического поля Е > 102 В/см ограничивается объемным зарядом инжектированных из In-контакта и захваченных ловушечным уровнем электронов.
Страницы: 75-79
Список источников
  1. Сенокосов Э.А., Макаревич А.Л., Сорочан В.В. Исследование механизма переключения в слоях nCdTe:In // Известия вузов. Электроника. 2005. № 6. С. 41-45.
  2. Petritz R.L. Theory of Photoconductivity in Semiconductor Films // Phys. Rev. 1956. V. 104. № 6. Р. 1508-1516.
  3. Rose A. Space - charge - limited currents in solids // Phys. Rev. 1955. V. 97. Р. 1538-1544.
  4. Физические величины: Справочник / под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат. 1991.
  5. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир. 1975.
  6. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир. 1973.
  7. Chian-ping Ye, Joseph H. Chen. Studies of defects in n-type CdTe by charge transient spectroscopy // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. № 5. Р. 2475-2481.