350 руб
Журнал «Радиотехника» №3 за 2012 г.
Статья в номере:
Физические процессы в барьерных структурах на основе неупорядоченных и наноструктурированных полупроводников
Ключевые слова: контактные явления неупорядоченные полупроводники уравнение Пуассона экспериментальные методы исследований
Авторы:
С.П. Вихров - д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой биомедицинской и полупроводниковой электроники, Рязанский ГРТУ. E-mail: me@rsreu.ru Н.В. Бодягин - д.ф.-м.н., профессор, кафедра биомедицинской и полупроводниковой электроники, Рязанский ГРТУ. E-mail: me@rsreu.ru Н.В. Вишняков - к.т.н., доцент, кафедра биомедицинской и полупроводниковой электроники, руководитель Регионального центра зондовой микроскопии, Рязанский ГРТУ. E-mail: rcpm-rgrtu@yandex.ru В.Г. Мишустин - к.ф.-м.н., доцент, кафедра биомедицинской и полупроводниковой электроники, начальник управления организацией научных исследований, Рязанский ГРТУ. E-mail: me@rsreu.ru
Аннотация:
Исследованы особенности контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников. Показано, что электрофизические свойства контакта определяются, главным образом, плотностью состояний, локализованных в щели подвижности неупорядоченного полупроводника. Разработан математический аппарат для теоретического описания контактных явлений. Рассмотрены экспериментальные методы исследований, проведен сравнительный анализ теоретических и экспериментальных результатов.
Страницы: 81-89
Список источников
  1. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г. Физические процессы в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников: Учеб. пособие. Рязань, РГРТА. 2005. 72 с.
  2. Yue G., Yan B., Ganguly G. et al. Metastability in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Solar Cells // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2006. V. 910. P. A-02-01-A-02-12.
  3. Вишняков Н.В., Вихров С.П. Модель формирования барьера Ме/a-Si:H с учетом высокой плотности состояний в щели подвижности // Аморф. гидроген. полупр.и их прим.: Тезисы докл. Всесоюзного семинара. Л.: 1991. С. 41.
  4. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г. и др. Формирование потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 10. С. 1189-1194.
  5. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г. и др. Токоперенос через барьер на контакте металл-некристаллический полупроводник: особенности расчета прямых и обратных ВАХ // Вестник РГРТУ. 2007. Вып. 22. С. 86-88.
  6. Уточкин И.Г. Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе a-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда / Дисс. канд. физ.-мат. наук: Рязань. 2005. 171 с.
  7. Соломон И. Спиновые эффекты в аморфных полупроводниках // В кн.: Аморфные полупроводники / под ред. М. Бродски. М.: Мир. 1982. 419 с.
  8. Дж. Коннелл. Оптические свойства аморфных полупроводников // В кн.: Аморфные полупроводники / под ред. М. Бродски. М.: Мир. 1982. 419 с.
  9. Вишняков Н.В. Контактные явления в структурах металл-аморфный гидрогенизированный кремний / Дисс. канд. техн. наук: Рязань. 1993. 252 с.
  10. Мишустин В.Г. Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников / Дисс. канд. физ.-мат. наук: Рязань. 2008. 185 с.
  11. Литвинов В.Г., Мишустин В.Г., Гудзев В.В. и др. Практические аспекты применения метода DLTS для исследования электронных состояний в неупорядоченных полупроводниках // Сб. трудов VI Межд. конф. «Аморф. и микрокрист. полупров.». СПб. 2008. С. 164-165.
  12. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г. и др. Разработка фундаментальных основ времяпролетного метода исследования некристаллических полупроводников // Отчет о НИР 2-05Г / Рук. С.П. Вихров, № Госрегистрации 01200501803. Рязань. 2007. 52 с.