В.В. Андреев – д.т.н., профессор, кафедра «Конструирование и производство электронной аппаратуры», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: vladimir_andreev@bmstu.ru

С.В. Рыжов – магистр, кафедра «Конструирование и производство электронной аппаратуры», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: sergey.righov@gmail.com

А.В. Романов – аспирант, кафедра «Конструирование и производство электронной аппаратуры», Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: romanov@okbmel.ru

Рассмотрены особенности формирования легированной области анода и ее влияние на характеристики планарного быстродействующего диода. Экспериментально исследовано влияние диффузии золота на изменение вольт-амперной характеристики диода. Предложена технологическая модель планарного быстродействующего диода, позволяющая подобрать оптимальную структуру областей катода и анода и учитывающая изменение ВАХ диода после диффузии золота.

1. Sze S.M., Lee M.K. Semiconductor Devices. Physics and Technology. John. Wiley & Sons Singapore Pte. Ltd. Edition 3rd. 2013. 582 p.
2. Simon L. Yue F. 3D TCAD Simulation for Semiconductor Processes, Devices and Optoelectronics. Springer. 2012. 292 p.
3. Yue Fu, Zhanming Li, Wai Tung Ng, Johnny K.O. Sin. Integrated Power Devices and TCAD Simulation (Devices, Circuits and Systems). CRC Press. 2014. 389 p.
4. Окунев А.Ю. Моделирование диодной структуры в среде TCAD // Сб. материалов Х Юбилейной Всерос. научно-технич. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых с международным участием «Молодежь и наука», посвященной 80-летию образования Красноярского края. Красноярск: Сибирский федеральный ун-т. 2014. Режим доступа: http://conf.sfukras.ru/sites/mn2014/directions.html.
5. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров А.А. Инжекционные методы исследования и контроля структур металл–диэлектрик– полупроводник. М: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2004.
6. Andreev V.V., Bondarenko G.G., Maslovsky V.M., Stolyarov A.A., Andreev D.V. Control current stress technique for the investigation of gate dielectrics of MIS devices // Phys. Status Solidi С. 2015. V. 12. № 3. P. 299−303.
7. Andreev V.V., Bondarenko G.G., Maslovsky V.M., Stolyarov A.A., Andreev D.V. Modification and Reduction of Defects in Thin Gate Dielectric of MIS Devices by Injection-Thermal and Irradiation Treatments // Phys. Status Solidi С. 2015. V. 12. № 1-2. P. 126−130.
8. Андреев В.В. Плазменная и инжекционная модификация электрофизических характеристик МДП-структур // Физика и химия обработки материалов. 2001. № 6. С. 47−53.
9. Королёв М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: В 2-х частях. Ч. 2. М.: Бином. Лаборатория знаний. 2012.
10. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника. 1986. 254 с.
11. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б., Марченко И.Г., Жданович Н.Е. Радиационные эффекты в технологии полупроводниковых материалов и приборов // Материалы Междунар. науч. конф. «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск. 4−6 ноября 2003. С. 332−364.
12. Болтакс Б.И., Куликов Г.С., Малкович Р.Ш. Влияние золота на электрические свойства кремния // Физика твердого тела. 1960. Т. 2. № 1. С. 181−191.
13. Капустин Ю.А., Колокольников Б.М. Глубокие уровни, возникающие в приповерхностной области кремния p-типа после диффузии золота // Физика и техника полупроводников. 1991. Т. 25. № 1. С. 181−182.