№11 за 2013 г.

1. Государственному заводу «Пульсар» - 60 лет С. 4

Силовая электроника

1. Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия В.А. Буробин С. 5-12
2. Транзисторы для силовой электроники в металлокерамических корпусах на основе нитрида алюминия Л.М. Пазинич, Ю.М. Печий, О.Л. Шкарапут С. 13-16
3. Новая технология создания ограничительных кремниевых диодов с интегральным теплоотводом О.Р. Абдуллаев, А.С. Дренин, А.С. Ларюшкин, Е.С. Роговский, М.Ю. Филатов С. 19-21

Приборы и технологии СВЧ электроники

1. Особенности технологии выращивания эпитаксиальных структур для производства pin-диодов СВЧ- и ВЧ-диапазонов в ОАО «Оптрон» и перспективы ее развития О.Р. Абдуллаев, Т.П. Колмакова, М.В. Меженный, М.Ю. Филатов С. 22-29
2. Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар В.А. Буробин, Н.И. Каргин, А.М. Коновалов, А.А. Макаров, М.В. Пашков, Р.И. Тычкин С. 30-36
3. Инновационные технологии в производстве СВЧ-электронных твердотельных компонентов В.А. Буробин, Л.М. Пазинич С. 37-44
4. Роль послойного препарирования кристаллов в анализе отказов современных интегральных схем В.А. Буробин, Р.А. Милованов, А.А. Щука С. 45-49
5. Влияние радиационной обработки быстрыми электронами на кремниевые высокочастотные p-i-n-диоды с барьером Шоттки О.Р. Абдуллаев, А.С. Дренин, П.Б. Лагов, М.Ю. Филатов С. 51-56
6. Использование плазмохимического травления в технологии получения pin-диодов О.Р. Абдуллаев, Е.С. Роговский, М.Ю. Филатов С. 57-60
7. Информационные технологии при комплексной автоматизации НПО «Пульсар Т.В. Бошняк, В.А. Буробин, Р.И. Тычкин С. 61-70

Оптоэлектроника

1. Полупроводниковая светодиодная электроника в мультисистемном кластере «Пульсар» ОАО «Российская электроника В.А. Буробин, А.Ю. Волошин, А.В. Зверев, В.И. Холодилов, В.Н. Щербаков С. 71-78
2. Полупроводниковый свет В.А. Буробин, Н.Н. Соловьев, А.А. Щука С. 79-83
3. Исследования кубического нитрида бора методами ЦКЛ и ЦКЛВСР в растровом электронном микроскопе О.Р. Абдуллаев, А.И. Габельченко, П.В. Иванников, А.С. Якунин С. 84-88
4. Перспективы использования кубического нитрида бора при создании электронных приборов О.Р. Абдуллаев, А.С. Якунин С. 89-92
5. Анализ влияния нейтронного облучения на размеры и параметры оптически активной области и вольт-люмен-амперные характеристики четырехкомпонентных AlGaInP и AlGaInN гетероструктур О.Р. Абдуллаев, Л.В. Гаршенин, И.В. Рыжиков С. 94-103