Журналы
Радиотехника
Антенны
Успехи современной радиоэлектроники
Электромагнитные волны и электронные системы
Биомедицинская радиоэлектроника
Нейрокомпьютеры: разработка, применение
Наукоемкие технологии
Информационно-измерительные и управляющие системы
Нелинейный мир
Спутниковые системы связи и вещания
Технологии живых систем
Системы высокой доступности
Динамика сложных систем - XXI век
Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век
Все журналы
→
Книги
Об издательстве
Для авторов
Подобрать журнал
Правила и документы
RU
EN
Радиотехника
Журналы
Все журналы
Радиотехника
Антенны
Успехи современной радиоэлектроники
Электромагнитные волны и электронные системы
Биомедицинская радиоэлектроника
Нейрокомпьютеры: разработка, применение
Наукоемкие технологии
Информационно-измерительные и управляющие системы
Нелинейный мир
Спутниковые системы связи и вещания
Технологии живых систем
Системы высокой доступности
Динамика сложных систем - XXI век
Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век
Книги
Об издательстве
Для авторов
Подобрать журнал
Правила и документы
RU
EN
+7 (495) 625‑92‑41
info@radiotec.ru
Отмена
Название статьи или книги, фамилия автора, DOI
Главная
/
Авторы
/
А.А. Макаров
А.А. Макаров
А.А. Makarov
7 статей
2013–2019
Успехи современной радиоэлектроники
4
Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век
2
Наукоемкие технологии
1
2019
Реализация двухпутевого метода распределенной синхронизации шкал времени с использованием средств системы спутниковой связи «Приморка-М
Успехи современной радиоэлектроники, №12 за 2019 г.
С. 215-219
2016
Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов коммуникационных систем
Успехи современной радиоэлектроники, №1 за 2016 г.
С. 89-93
2015
Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения
Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2015 г.
С. 27-30
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2015 г.
С. 22-26
2014
Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения
Успехи современной радиоэлектроники, №9 за 2014 г.
С. 53-56
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
Успехи современной радиоэлектроники, №9 за 2014 г.
С. 48-51
2013
Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар
Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г.
С. 30-36