Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения

В.А. Буробин; А.Ю. Волошин; Н.И. Каргин; А.А. Макаров; А.А. Щука

Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения

В.А. Буробин¹, А.Ю. Волошин², Н.И. Каргин³, А.А. Макаров⁴, А.А. Щука⁵

научная статья Страницы: 27-30

¹ к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар»
² начальник СКБ \"РПИ ГП\", ОАО «ГЗ «Пульсар»
³ д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
⁴ вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар»
⁵ д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет)

Ключевые слова: нанотехнологии гетероструктуры светодиод

Аннотация

Рассмотрены современные тенденции производства гетероэпитаксиальных структур для твердотельного освещения общего назначения. Приведены основные методы подготовки поверхности кремниевой пластины для эпитаксиального выращивания слоев InGaN/GaN. Предложены различные подходы к формированию буферных слоев GaN высокого ка-чества.

Для цитирования

Буробин В.А., Волошин А.Ю., Каргин Н.И., Макаров А.А., Щука А.А. Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2015. № 1. С. 27–30.

Список источников

Буробин В.А., Коновалов А.М.Конструктивно-технологические решения в производстве ярких светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN/AlGaN // Материалы I Междунар. форума по нанотехнологиям. Москва. 2008.3-5 декабря.
Арендаренко А.А., Буробин В.А., Свешников Ю.Н., Цыпленков И.Н. Пути разработки МОС-гидридной технологии получения гетероструктур на основе нитрида галлия с наноразмерными областями для светоизлучающих диодов // Материалы Iмеждунар. форума по нанотехнологиям. Москва. 2008.3-5 декабря.
Каргин Н.И., Рыжук Р.В., Коновалов А.М., Кузнецов А.Л., Макаров А.А., Павлов А.Ю. Разработка энергоэффективного светильника на основе наногетероструктур InGaN/GaN/AlGaN // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковыеприборы. 2012. № 1. С. 90-94.
Horng R. H. et al. Performance of GaN-based light-emitting diodes fabricated using GaN epilayers grown on silicon substrates // Optics Express. 2014. Т. 22. № 101. С. A179‑A187.
Буробин В.А. Решение проблем энергосбережения. Вклад ФГУП «ГЗ «Пульсар» // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. 2009. №3. С. 48-51.
Буробин В.А., Зверев А.В., Якунин А.С. Корпоративная дорожная карта. Путь крупносерийному производству светодиодов открыт // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. 2010. № 6.

[1] Буробин В.А., Коновалов А.М.Конструктивно-технологические решения в производстве ярких светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN/AlGaN // Материалы I Междунар. форума по нанотехнологиям. Москва. 2008.3-5 декабря.

[2] Арендаренко А.А., Буробин В.А., Свешников Ю.Н., Цыпленков И.Н. Пути разработки МОС-гидридной технологии получения гетероструктур на основе нитрида галлия с наноразмерными областями для светоизлучающих диодов // Материалы Iмеждунар. форума по нанотехнологиям. Москва. 2008.3-5 декабря.

[3] Каргин Н.И., Рыжук Р.В., Коновалов А.М., Кузнецов А.Л., Макаров А.А., Павлов А.Ю. Разработка энергоэффективного светильника на основе наногетероструктур InGaN/GaN/AlGaN // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковыеприборы. 2012. № 1. С. 90-94.

[4] Horng R. H. et al. Performance of GaN-based light-emitting diodes fabricated using GaN epilayers grown on silicon substrates // Optics Express. 2014. Т. 22. № 101. С. A179‑A187.

[5] Буробин В.А. Решение проблем энергосбережения. Вклад ФГУП «ГЗ «Пульсар» // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. 2009. №3. С. 48-51.

[6] Буробин В.А., Зверев А.В., Якунин А.С. Корпоративная дорожная карта. Путь крупносерийному производству светодиодов открыт // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. 2010. № 6.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи