Название статьи или книги, фамилия автора, DOI

2015

  1. Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2015 г. С. 27-30
  2. Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2015 г. С. 22-26

2014

  1. Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения Успехи современной радиоэлектроники, №9 за 2014 г. С. 53-56
  2. Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью Успехи современной радиоэлектроники, №9 за 2014 г. С. 48-51

2013

  1. Полупроводниковый свет Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 79-83
  2. Полупроводниковая светодиодная электроника в мультисистемном кластере «Пульсар» ОАО «Российская электроника Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 71-78
  3. Информационные технологии при комплексной автоматизации НПО «Пульсар Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 61-70
  4. Роль послойного препарирования кристаллов в анализе отказов современных интегральных схем Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 45-49
  5. Инновационные технологии в производстве СВЧ-электронных твердотельных компонентов Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 37-44
  6. Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 30-36
  7. Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 5-12

2010

  1. Транзисторы на основе гетероструктур GaN/AlGaN для оборудования WiMAX Вакуумная, плазменная и твердотельная электроника, №1 за 2010 г. С. 39-43
  2. Транзисторы на основе гетероструктур GAN/ALGAN для оборудования WIMAX Наукоемкие технологии, №7 за 2010 г. С. 39-43