Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия

В.А. Буробин

Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия

В.А. Буробин¹

научная статья Страницы: 5-12

¹ к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар»

Ключевые слова: широкозонные полупроводники гетероэпитаксиальные структуры нитрида галлия нитрид галлия на кремнии

Аннотация

Рассмотрены преимущества приборов на основе широкозонных полупроводниковых материалов, состояние производства приборов широкозонной электроники в России и в мире.

Для цитирования

Буробин В.А. Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия // Наукоемкие технологии. 2013. № 11. С. 5–12.

Список источников

Li T., Mastro M., Dadgar A. III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics. CRC Press. 2010. 593 с.
GaN and ZnO-based Materials and Devices, Series: Springer Series in Materials Science, V. 156 / S. Pearton(Ed.). Springer. 2012. 485 с.
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия / под ред. Д. Эрентраута и др. / пер. с англ. К.В. Юдинцева// Миррадиоэлектроники. М.: Техносфера. 2011.
Jin D., J. A. del Alamo. Mechanisms responsible for dynamic on-resistance in GaN high-voltage HEMTs // Proc. IEEE 24^th Int. Symp. Power Semicond. Dev. ICs, Brugge, Belgium. Jun. 2012. P. 333-336.
Буробин В.А., Крымко М.М. Перспективы развития отечественной силовой электроники в мультисистемном кластере НПО «Пульсар» ОАО «Российская электроника» //Материалы XI отраслевой научно-техн. конф. «Состояние и перспективы развития отечественной микроэлектроники». Новосибирск. 2012.

[1] Li T., Mastro M., Dadgar A. III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics. CRC Press. 2010. 593 с.

[2] GaN and ZnO-based Materials and Devices, Series: Springer Series in Materials Science, V. 156 / S. Pearton(Ed.). Springer. 2012. 485 с.

[3] Технология выращивания кристаллов нитрида галлия / под ред. Д. Эрентраута и др. / пер. с англ. К.В. Юдинцева// Миррадиоэлектроники. М.: Техносфера. 2011.

[4] Jin D., J. A. del Alamo. Mechanisms responsible for dynamic on-resistance in GaN high-voltage HEMTs // Proc. IEEE 24^th Int. Symp. Power Semicond. Dev. ICs, Brugge, Belgium. Jun. 2012. P. 333-336.

[5] Буробин В.А., Крымко М.М. Перспективы развития отечественной силовой электроники в мультисистемном кластере НПО «Пульсар» ОАО «Российская электроника» //Материалы XI отраслевой научно-техн. конф. «Состояние и перспективы развития отечественной микроэлектроники». Новосибирск. 2012.