Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью

В.А. Буробин; Н.И. Каргин; А.М. Коновалов; А.А. Макаров; А.А. Щука

Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью

В.А. Буробин¹, Н.И. Каргин², А.М. Коновалов³, А.А. Макаров⁴, А.А. Щука⁵

научная статья Страницы: 22-26

¹ к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар»
² д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
³ начальник СКБ ШЗП, ОАО «ГЗ «Пульсар»
⁴ вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар»
⁵ д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет)

Ключевые слова: СВЧ-электроника широкозонные полупроводниковые материалы наногетероструктуры

Аннотация

Рассмотрены особенности выращивания наногетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ-транзисторов. Проведено сравнение материалов, используемых в качестве подложек, отражены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур InAlN/GaN. Показаны преимущества разрабатываемых структур по сравнению с исполь-зуемым в настоящее время арсенидом галлия.

Для цитирования

Буробин В.А., Каргин Н.И., Коновалов А.М., Макаров А.А., Щука А.А. Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2015. № 1. С. 22–26.

Список источников

Буробин В.А. Новое поколение электронной техники: Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия // Технополис XXI. 2012. Сентябрь. С. 18-19.
Буробин В.А. Разработка конструкции и промышленной технологии изготовления мощного СВЧ транзистора на базе гетероэпитаксиальной структуры AlGaN/GaN // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2012. № 4. С. 66-71.
Lobanova A.V. et al. AlInN MOVPE: growth chemistry and analysis of trends // Journal of Crystal Growth. 2012. Т. 352. № 1. С. 199-202.
Medjdoub F. et al. Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology // Open Electrical & Electronic Engineering Journal. 2008. Т. 2. С. 1-7.
Lee D.S. et al. InAlN/GaN HEMTs with AlGaN back barriers // Electron Device Letters, IEEE. 2011. Т. 32. № 5. С. 617‑619.

[1] Буробин В.А. Новое поколение электронной техники: Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия // Технополис XXI. 2012. Сентябрь. С. 18-19.

[2] Буробин В.А. Разработка конструкции и промышленной технологии изготовления мощного СВЧ транзистора на базе гетероэпитаксиальной структуры AlGaN/GaN // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2012. № 4. С. 66-71.

[3] Lobanova A.V. et al. AlInN MOVPE: growth chemistry and analysis of trends // Journal of Crystal Growth. 2012. Т. 352. № 1. С. 199-202.

[4] Medjdoub F. et al. Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology // Open Electrical & Electronic Engineering Journal. 2008. Т. 2. С. 1-7.

[5] Lee D.S. et al. InAlN/GaN HEMTs with AlGaN back barriers // Electron Device Letters, IEEE. 2011. Т. 32. № 5. С. 617‑619.

Аннотация

Для цитирования

Похожие статьи