А.М. Коновалов

А.М. Konovalov

6 статей 2010–2015

2015

Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2015 г. С. 22-26

2014

Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью Успехи современной радиоэлектроники, №9 за 2014 г. С. 48-51

2013

Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 30-36

2011

Моделирование бот-сетей и механизмов защиты от них Системы высокой доступности, №2 за 2011 г. С. 107-111

2010

Транзисторы на основе гетероструктур GaN/AlGaN для оборудования WiMAX Вакуумная, плазменная и твердотельная электроника, №1 за 2010 г. С. 39-43
Транзисторы на основе гетероструктур GAN/ALGAN для оборудования WIMAX Наукоемкие технологии, №7 за 2010 г. С. 39-43