Транзисторы на основе гетероструктур GaN/AlGaN для оборудования WiMAX
- 1 к. т. н., директор, ФГУП «ГЗ Пульсар»
- 2 зам. гл. инженера, ФГУП «ГЗ Пульсар»
- 3 инженер-технолог, ФГУП «ГЗ Пульсар»
Аннотация
Приведены теоретические и экспериментальные данные о гетероструктурах GaN / AlGaN и обоснована оптимальность применения транзисторов c высокой подвижностью электронов на их основе в оборудовании беспроводного широкополосного доступа WiMax.
Для цитирования
Буробин В.А., Коновалов А.М., Волошин А.Ю. Транзисторы на основе гетероструктур GaN/AlGaN для оборудования WiMAX // Вакуумная, плазменная и твердотельная электроника. 2010. № 1. С. 39–43.
Список источников
- Александров С.В. диссертация «Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры AlGaN/GaN», Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 2006.
- Алексеев А., Чалый В., Красовицкий Д., ПетровС. Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN - основа новой «компонентной базы твердотельной СВЧ электроники // Компоненты и технологии, № 2. 2008. С. 29-34.
- Щука А.А. Элементы и приборы наноэлектроники. М., 2006.
- Босый В.И., Иващук А.В., Ковальчук В.Н., Семашко Е.М.Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников // ТКЭА. № 3. 2003. С. 53-58.
- Данилин В., Жукова Т., Кузнецов Ю., Тараканов С., УваровН. Транзистор на GaN пока самый «крепкий орешек» // Электроника: НТБ, № 4. 2005. С. 20-29.