Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар
- 1 к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар»
- 2 д.т.н., профессор, проректор по инновационному развитию, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
- 3 вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар»
- 4,5 инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар»
- 6 зам. гл. инженера, ОАО «ГЗ «Пульсар»
Аннотация
Рассмотрены актуальные вопросы по созданию промышленной технологии производства мощных СВЧ-транзисторов на базе гетероструктур AlGaN/GaN. Показан выбор исходного материала подложек. Представлены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN с оптимизацией значений концентрации и подвижности в слое двумерного электронного газа, а также методы контроля качества структур.
Для цитирования
Буробин В.А., Каргин Н.И., Коновалов А.М., Макаров А.А., Пашков М.В., Тычкин Р.И. Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар // Наукоемкие технологии. 2013. № 11. С. 30–36.
Список источников
- Буробин В. А.Новое поколение электронной техники: Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия // Технополис XXI. Сентябрь 2012. С. 18-19.
- Буробин В. А. Разработка конструкции и промышленной технологии изготовления мощного СВЧ транзистора на базе гетероэпитаксиальной структуры AlGaN/GaN // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2012. №4. С. 66-71.