Н.И. Каргин

N.I. Kargin

5 статей 2013–2015

2015

Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2015 г. С. 27-30
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2015 г. С. 22-26

2014

Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения Успехи современной радиоэлектроники, №9 за 2014 г. С. 53-56
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью Успехи современной радиоэлектроники, №9 за 2014 г. С. 48-51

2013

Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 30-36