Результаты российско-белорусского научно-технического сотрудничества по созданию новых типов наногетероструктур
- 1 к.т.н., президент ПАО «Светлана» (Москва)
- 2,5 д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва)
- 3 к.ф.-м.н., директор АО «Светлана - Рост»
- 4 к.х.н., главный конструктор, АО «Светлана - Рост»
- 6 к.т.н., зам. ген. директора по научно-техническому развитию, ПАО «Светлана» (Москва)
- 7 начальник отдела научно-технического развития, ПАО «Светлана» (Москва)
- 8 д.ф.-м.н, гл. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва)
- 9 к.т.н., ст. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва)
- 10 д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Аннотация
Изложены результаты комплексной программы по разработке конструкций и технологий изготовления гетероструктур различного назначения и приборов на их основе.
Для цитирования
Попов В.В., Устинов В.М., Чалый В.П., Красовицкий Д.М., Тарасов И.С., Клевцов В.А., Калинин С.А., Яковлев Ю.П., Малеев Н.А., Иванов С.В. Результаты российско-белорусского научно-технического сотрудничества по созданию новых типов наногетероструктур // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2016. № 4. С. 3–11.
Список источников
- Алфёров Ж.И. Нобелевская лекция, прочитанная 8.12.2000 в Стокгольме: перевод с англ. // УФН. 2002. Т. 172. № 9. С. 1072-1086.
- Устинов В.М., А.Ю. Егоров, Жуков А.Е. и др. Модулированно-легированные гетероструктуры для малошумящих СВЧ-транзисторов, созданные методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Микроэлектроника. 1994. Т. 23. Вып. 4. С. 13-18.
- Земляков В.Е., Красник В.А., Васильев В.И. и др. Гетероструктурные полевые транзисторы миллиметрового диапазона длин волн ФГУП НПП «Исток» // 15 Int. Conf. «Microwave and Telecommunication Technology» (CriMiCo`2005). Sevastopol. 12-16 Sept. 2005.
- Гусенкова А.В., Малеев Н.А., Михрин В.С. и др. Технология селективного химического травления для изготовления AlGaAs/InGaAs p HEMT транзисторов // 12th Intern. Conf. «Microwave and Telecommunication Technology» (CriMiCo`2005). Sevastopol. 12-16 Sept. 2005.
- Бобыль А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н. и др. Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния гамма-излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs // ФТП. 2006. № 40. С. 707-710.
- Малеев Н.А., Устинов В.М., Земляков В.Е. Полупроводниковые наногетероструктуры для СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем // Тезисы докл. конф. «Нанотехнологии - производству-2007». Фрязино. 28-30 ноября 2007. 98 с.
- Барсегян А., Кояма Д., Уокер Дж., Тангем В. Особенности применения мощных GAN СВЧ-транзисторов в авионике и радарных системах // СВЧ Электроника. Приложение к журналу «Электронные компоненты» / Под ред. А. Майстренко. 2016. № 1. С. 16-20.
- Балакриев А., Туркин А. СВЧ-Компоненты Wolfspeed на основе GAN/SIC // СВЧ Электроника. Приложение к журналу «Электронные компоненты» / Под ред. А. Майстренко. 2016. № 1. С. 22-25.
- Тарасов С., Дикарев В., Цоцорин А. Мощные GAN СВЧ-транзисторы для применения в перспективных системах связи и радиолокации // СВЧ Электроника. Приложение к журналу «Электронные компоненты» / Под ред. А. Майстренко. 2016. № 1. С. 26-29.
- Подгорбунский А., Мишуров С. Опыт применения GAN-транзисторов L-диапазона от Microsemi // СВЧ Электроника. Приложение к журналу «Электронные компоненты» / Под ред. А. Майстренко. 2016. № 1. С. 30-34.
- Коул Т. Использование GAN-технологии для коммерческих рынков // СВЧ Электроника. Приложение к журналу «Электронные компоненты»: пер. В. Рентюка / Под ред. А. Майстренко. 2016. № 1. С. 64-65.