А.А. Щука

А.А. Shchuka

8 статей 2010–2015

2015

Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2015 г. С. 27-30
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, №1 за 2015 г. С. 22-26

2014

Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения Успехи современной радиоэлектроники, №9 за 2014 г. С. 53-56
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью Успехи современной радиоэлектроники, №9 за 2014 г. С. 48-51
50 лет факультету физической и квантовой электроники Московского физико-технического института Успехи современной радиоэлектроники, №9 за 2014 г. С. 4-32

2013

Полупроводниковый свет Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 79-83
Роль послойного препарирования кристаллов в анализе отказов современных интегральных схем Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 45-49

2010

Факультет физической и квантовой электроники Успехи современной радиоэлектроники, №5 за 2010 г. С. 5-10