Роль послойного препарирования кристаллов в анализе отказов современных интегральных схем
- 1 к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар»
- 2 науч. сотрудник, МГТУ МИРЭА
- 3 д.т.н., профессор, МГТУ МИРЭА
Аннотация
Установлено, что при анализе отказов современных ИС на этапе выяления неисправностей катастрофического типа в системе межсоединений кристалла важную роль играет процедура его послойного препарирования. Показано, что основными методами удаления топологических слоев кристалла являются методы плазмо-химического травления, жидкого травления, ионно-лучевого травления (ИЛТ) и микрошлифования. Установлено, что при определении комплекса методов препарирования конкретного кристалла необходимо учитывать особенности и характеристики его топологических слоев.
Для цитирования
Буробин В.А., Милованов Р.А., Щука А.А. Роль послойного препарирования кристаллов в анализе отказов современных интегральных схем // Наукоемкие технологии. 2013. № 11. С. 45–49.
Список источников
- Милованов, Р.А., Зайцев, А.А., Кельм, Е.А., Шишкин, В.И. Принципы моделирования технологических процессов травления. Применение в электронном обучении // Сб. докл. российских участников Междунар. научно-практ. конференции «Современные информационные и коммуникационные технологии в высшем образовании: новые образовательные программы, педагогика с использованием E-Learning и повышение качества образования» (3-4 апреля 2013 г.). М.: ННОУ«МИПК».2013.
- Beck F. Integrated circuit failure analysis. John Wiley & Sons. 1998.
- Ross R.J. Microelectronics failure analysis. Desk reference. Sixth Edition. ASM International. 2011.
- Skorobogatov S.P. Semi-invasive attacks. A new approach to hardware security analysis. University of Cambridge. Computer laboratory. 2005.
- WagnerL.C. Failure analysis of integrated circuit. Tools and techniques. Kluwer academic publishers. 1999.
- Wolf S., Tauber R.N., Silicon processing for the VLSI era. V. I: process technology. California, Sunset Beach: Lattice press, 1986.
Полный текст, PDF
350 ₽