Article or book title, author's surname, DOI

Aspects of heteroepitaxial growth processes for solid-state lighting applications

В.А. Буробин1, А.Ю. Волошин2, Н.И. Каргин3, А.А. Макаров4, А.А. Щука5

research article Pages: 27-30

  1. 1 к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар»
  2. 2 начальник СКБ \"РПИ ГП\", ОАО «ГЗ «Пульсар»
  3. 3 д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  4. 4 вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар»
  5. 5 д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет)

Abstract

In the article, a comparative analysis of substrate materials for heteroepitaxial growth of InGaN/GaN nanoheterostructures with multiple quantum wells used as lighting LEDs is conducted. Techniques of pre-epitaxial surface preparation of Si substrates and further approaches to eliminate the density of threading dislocations in GaN have been selected.

How to cite

Буробин В.А., Волошин А.Ю., Каргин Н.И., Макаров А.А., Щука А.А. Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2015. № 1. С. 27–30.

References

 

  1. Burobin V.A., Konovalov A.M.Konstruktivno-tekhnologicheskie reshenija v proizvodstve jarkikh svetodiodov na osnove geterostruktur InGaN/GaN/AlGaN // Materialy I Mezhdunar. foruma po nanotekhnologijam. Moskva. 2008.3-5 dekabrja.
  2. Arendarenko A.A., Burobin V.A., Sveshnikov JU.N., Cyplenkov I.N. Puti razrabotki MOS-gidridnojj tekhnologii poluchenija geterostruktur na osnove nitrida gallija s nanorazmernymi oblastjami dlja svetoizluchajushhikh diodov // Materialy Imezhdunar. foruma po nanotekhnologijam. Moskva. 2008.3-5 dekabrja.
  3. Kargin N.I., Ryzhuk R.V., Konovalov A.M., Kuznecov A.L., Makarov A.A., Pavlov A.JU. Razrabotka ehnergoehffektivnogo svetilnika na osnove nanogeterostruktur InGaN/GaN/AlGaN // EHlektronnaja tekhnika. Serija 2: Poluprovodnikovyepribory. 2012. № 1. S. 90-94.
  4. Horng R. H. et al. Performance of GaN-based light-emitting diodes fabricated using GaN epilayers grown on silicon substrates // Optics Express. 2014. T. 22. № 101. S. A179‑A187.
  5. Burobin V.A. Reshenie problem ehnergosberezhenija. Vklad FGUP «GZ «Pulsar» // EHlektronika. Nauka. Tekhnologija. Biznes. 2009. №3. S. 48-51.
  6. Burobin V.A., Zverev A.V., JAkunin A.S. Korporativnaja dorozhnaja karta. Put krupnoserijjnomu proizvodstvu svetodiodov otkryt // EHlektronika. Nauka. Tekhnologija. Biznes. 2010. № 6.