Article or book title, author's surname, DOI

Aspects of heteroepitaxial growth processes for solid-state lighting applications

В.А. Буробин1, А.Ю. Волошин2, Н.И. Каргин3, А.А. Макаров4, А.А. Щука5

research article Pages: 53-56

  1. 1 к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар»
  2. 2 начальник СКБ "РПИ ГП", ОАО «ГЗ «Пульсар»
  3. 3 д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  4. 4 вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар»
  5. 5 д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет)

Abstract

In the article, a comparative analysis of substrate materials for heteroepitaxial growth of InGaN/GaN nanoheterostructures with multiple quantum wells used as lighting LEDs is conducted. Techniques of pre-epitaxial surface preparation of Si substrates and further approaches to eliminate the density of threading dislocations in GaN have been selected.

How to cite

Буробин В.А., Волошин А.Ю., Каргин Н.И., Макаров А.А., Щука А.А. Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения // Успехи современной радиоэлектроники. 2014. № 9. С. 53–56.

References

  1. Burobin V.A., Konovalov A.M. Konstruktivno-tehnologicheskie reshenija v proizvodstve jarkih svetodiodov na osnove geterostruktur InGaN/GaN/AlGaN // Materialy I Mezhdunar. foruma po nanotehnologijam. Moskva. 2008. 3-5 dekabrja.
  2. Arendarenko A.A., Burobin V.A., Sveshnikov Ju.N., Cyplenkov I.N. Puti razrabotki MOS-gidridnoj tehnologii poluchenija geterostruktur na osnove nitrida gallija s nanorazmernymi oblastjami dlja svetoizluchajushhih diodov // Materialy I mezhdunar. foruma po nanotehnologijam. Moskva. 2008. 3-5 dekabrja.
  3. Kargin N.I., Ryzhuk R.V., Konovalov A.M., Kuznecov A.L., Makarov A.A., Pavlov A.Ju. Razrabotka jenergojeffektivnogo svetil'nika na osnove nanogeterostruktur InGaN/GaN/AlGaN // Jelektronnaja tehnika. Serija 2: Poluprovodnikovye pribory. 2012. № 1. S. 90-94.
  4. Horng R. H. et al. Performance of GaN-based light-emitting diodes fabricated using GaN epilayers grown on silicon substrates // Optics Express. 2014. T. 22. № 101. S. A179-A187.
  5. Burobin V.A. Reshenie problem jenergosberezhenija. Vklad FGUP «GZ «Pul'sar» // Jelektronika. Nauka. Tehnologija. Biznes. 2009. № 3. S. 48-51.
  6. Burobin V.A., Zverev A.V., Jakunin A.S. Korporativnaja dorozhnaja karta. Put' krupnoserijnomu proizvodstvu svetodiodov otkryt // Jelektronika. Nauka. Tehnologija. Biznes. 2010. № 6.