Использование плазмохимического травления в технологии получения pin-диодов
- 1 к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон»
- 2 вед. инженер, ОАО «Оптрон»
- 3 к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон»
Ключевые слова:
плазмохимическое травлениеp-i-n СВЧ-диодисточник высокоплотной плазмыбарьер Шотткиформирование микрорельефа
Аннотация
Приведены результаты использования плазмохимического травления кремния на установка реактивно-ионного травления с источником высокоплотной плазмы индукционного типа «Плазмаком-203», как для утонения по всей площади пластины, так и для формирования мезаструктур с последующей защитой алюмосиликатным стеклом.
Для цитирования
Абдуллаев О.Р., Роговский Е.С., Филатов М.Ю. Использование плазмохимического травления в технологии получения pin-диодов // Наукоемкие технологии. 2013. № 11. С. 57–60.
Список источников
- Филатов М.Ю., Роговский Е.С., Колмакова Т.П., Меженный М.В., Дренин А.С. Исследование и устранение причин брака при производстве мощных кремниевых p-i-n-диодов // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 2. 2012. С. 77-86.