О.Р. Абдуллаев

2013

1. Анализ влияния нейтронного облучения на размеры и параметры оптически активной области и вольт-люмен-амперные характеристики четырехкомпонентных AlGaInP и AlGaInN гетероструктур Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 94-103
2. Перспективы использования кубического нитрида бора при создании электронных приборов Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 89-92
3. Исследования кубического нитрида бора методами ЦКЛ и ЦКЛВСР в растровом электронном микроскопе Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 84-88
4. Использование плазмохимического травления в технологии получения pin-диодов Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 57-60
5. Влияние радиационной обработки быстрыми электронами на кремниевые высокочастотные p-i-n-диоды с барьером Шоттки Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 51-56
6. Особенности технологии выращивания эпитаксиальных структур для производства pin-диодов СВЧ- и ВЧ-диапазонов в ОАО «Оптрон» и перспективы ее развития Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 22-29
7. Новая технология создания ограничительных кремниевых диодов с интегральным теплоотводом Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 19-21