Новая технология создания ограничительных кремниевых диодов с интегральным теплоотводом

О.Р. Абдуллаев; А.С. Дренин; А.С. Ларюшкин; Е.С. Роговский; М.Ю. Филатов

Новая технология создания ограничительных кремниевых диодов с интегральным теплоотводом

О.Р. Абдуллаев¹, А.С. Дренин², А.С. Ларюшкин³, Е.С. Роговский⁴, М.Ю. Филатов⁵

научная статья Страницы: 19-21

¹ к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон»
² вед. инженер СКБ, ОАО «Оптрон»
³ к.т.н., начальник кристального участка, ОАО «Оптрон»
⁴ вед. инженер, ОАО «Оптрон»
⁵ к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон»

Ключевые слова: : интегральный теплоотвод ограничительные кремниевые диоды СВЧ прибор

Аннотация

Рассмотрена новая технология получения мощных ограничительных диодов на кремниевых эпитаксиальных структурах с интегральным теплоотводом для работы в двухсантиметровом диапазоне длин волн.

Для цитирования

Абдуллаев О.Р., Дренин А.С., Ларюшкин А.С., Роговский Е.С., Филатов М.Ю. Новая технология создания ограничительных кремниевых диодов с интегральным теплоотводом // Наукоемкие технологии. 2013. № 11. С. 19–21.

Список источников

Вальд-Перлов В.М., Вейц В.В., Иващенко Н.Г.Мощный быстродействующий ограничительный диод для защиты приемных каналов ППМАФАР // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2010. Вып. 1 (224). С. 113-117.
Способ изготовления полупроводниковых ограничительных диодов СВЧ диапазона групповым методом [Текст] : заявка на патент Ru 2452057С1 / Аверкин С.Н., Колмакова Т.П., Филатов М.Ю.; заявл. 17.02.2011.
Шнитников А.С. Особенности проектирования сверхширокополосных диодных СВЧ ограничителей // Сб. тр. участников 15 Межд. Крымской конф. «СВЧ и телекоммуникационные технологии» (Севастополь, 12-16 сентября 2005 г.). Крым. 2005. С. 451-452.

[1] Вальд-Перлов В.М., Вейц В.В., Иващенко Н.Г.Мощный быстродействующий ограничительный диод для защиты приемных каналов ППМАФАР // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2010. Вып. 1 (224). С. 113-117.

[2] Способ изготовления полупроводниковых ограничительных диодов СВЧ диапазона групповым методом [Текст] : заявка на патент Ru 2452057С1 / Аверкин С.Н., Колмакова Т.П., Филатов М.Ю.; заявл. 17.02.2011.

[3] Шнитников А.С. Особенности проектирования сверхширокополосных диодных СВЧ ограничителей // Сб. тр. участников 15 Межд. Крымской конф. «СВЧ и телекоммуникационные технологии» (Севастополь, 12-16 сентября 2005 г.). Крым. 2005. С. 451-452.