М.Ю. Филатов

2013

1. Использование плазмохимического травления в технологии получения pin-диодов Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 57-60
2. Влияние радиационной обработки быстрыми электронами на кремниевые высокочастотные p-i-n-диоды с барьером Шоттки Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 51-56
3. Особенности технологии выращивания эпитаксиальных структур для производства pin-диодов СВЧ- и ВЧ-диапазонов в ОАО «Оптрон» и перспективы ее развития Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 22-29
4. Новая технология создания ограничительных кремниевых диодов с интегральным теплоотводом Наукоемкие технологии, №11 за 2013 г. С. 19-21