New Clamping Si Diode Technology Integrated on a Heatsink

О.Р. Абдуллаев; А.С. Дренин; А.С. Ларюшкин; Е.С. Роговский; М.Ю. Филатов

New Clamping Si Diode Technology Integrated on a Heatsink

О.Р. Абдуллаев¹, А.С. Дренин², А.С. Ларюшкин³, Е.С. Роговский⁴, М.Ю. Филатов⁵

research article Pages: 19-21

¹ к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон»
² вед. инженер СКБ, ОАО «Оптрон»
³ к.т.н., начальник кристального участка, ОАО «Оптрон»
⁴ вед. инженер, ОАО «Оптрон»
⁵ к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон»

Keywords: integrated heat sink clamping Si diodes microwave device

Abstract

Presented structure allows to use the diode at high input voltages. The results of device operation in the 2-cm-range clamping diode topology suggest the insufficient accuracy of physical topological model used for this work [3] which correlates carrier saturation velocity with operation time of signal voltage positive half-wave for estimation of clamping diode base thickness.

How to cite

Абдуллаев О.Р., Дренин А.С., Ларюшкин А.С., Роговский Е.С., Филатов М.Ю. Новая технология создания ограничительных кремниевых диодов с интегральным теплоотводом // Наукоемкие технологии. 2013. № 11. С. 19–21.

References

Val'd-Perlov V.M., Vejcz V.V., Ivashhenko N.G. Moshhny'j by'strodejstvuyushhij ogranichitel'ny'j diod dlya zashhity' priemny'x kanalov PPMAFAR // E'lektronnaya texnika. Seriya 2. Poluprovodnikovy'e pribory'. 2010. Vy'p. 1 (224). S. 113-117.
Sposob izgotovleniya poluprovodnikovy'x ogranichitel'ny'x diodov SVCh diapazona gruppovy'm metodom [Tekst] : zayavka na patent Ru 2452057S1 / Averkin S.N., Kolmakova T.P., Filatov M.Ju.; zayavl. 17.02.2011.
Shnitnikov A.S. Osobennosti proektirovaniya sverxshirokopolosny'x diodny'x SVCh ogranichitelej // Sb. tr. uchastnikov 15 Mezhd. Kry'mskoj konf. «SVCh i telekommunikaczionny'e texnologii» (Sevastopol', 12-16 sentyabrya 2005 g.). Kry'm. 2005. S. 451-452.

[1] Val'd-Perlov V.M., Vejcz V.V., Ivashhenko N.G. Moshhny'j by'strodejstvuyushhij ogranichitel'ny'j diod dlya zashhity' priemny'x kanalov PPMAFAR // E'lektronnaya texnika. Seriya 2. Poluprovodnikovy'e pribory'. 2010. Vy'p. 1 (224). S. 113-117.

[2] Sposob izgotovleniya poluprovodnikovy'x ogranichitel'ny'x diodov SVCh diapazona gruppovy'm metodom [Tekst] : zayavka na patent Ru 2452057S1 / Averkin S.N., Kolmakova T.P., Filatov M.Ju.; zayavl. 17.02.2011.

[3] Shnitnikov A.S. Osobennosti proektirovaniya sverxshirokopolosny'x diodny'x SVCh ogranichitelej // Sb. tr. uchastnikov 15 Mezhd. Kry'mskoj konf. «SVCh i telekommunikaczionny'e texnologii» (Sevastopol', 12-16 sentyabrya 2005 g.). Kry'm. 2005. S. 451-452.