Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову implantation
Миграция кислорода и формирование субоксидов кремния SiOx в низкоразмерной гетеросистеме SiO2/Si после имплантации ионами Si+
Д.А.Зацепин, к.фю-м.н.,доцент, Уральский государственный технический университет (УПИ), 620002 Екатеринбург, Россия. E-mail: nexcom@list.ru S. Kaschieva - Institute of Solid State Physics - Bulgarian Academy of Sciences, 1874 Sofia, Bulgaria. H.J. Fitting - Department of Physics, University of Rostock, Germany Э.З. Курмаев - Институт физики металлов Уральского Отделения Российской академии наук, 620041 Екатеринбург, Россия C.Н. Шамин - Институт физики металлов Уральского Отделения Российской академии наук, 620041 Екатеринбург, Россия
Ионно-имплантационная обработка металлических слоев в технологии микроприборов СВЧ
И. В. Перинская - к. т. н., ассистент, кафедра «Биотехнические и медицинские аппараты и системы», Саратовский государственный технический университет
Ионно-лучевая литография в технологии полупроводниковой СВЧ-микроэлектроники
В.В. Перинский - д.т.н., профессор, кафедра «Физическое материаловедение и технологии новых материалов», Саратовский государственный технический университет В.Н. Лясников - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Физическое материаловедение и технологии новых материалов», Саратовский государственный технический университет
Влияние дефицита магния на процесс зачатия и антенатального развития плода
А.А. Спасов - aкадемик РАМН, засл. деятель науки РФ, д.м.н., профессор, зав. кафедрой фармакологии, ГБОУ ВПО «Волгоградский государственный медицинский университет» Минздравсоцразвития РФ. E-mail: aspasov@mail.ru Л.И. Бугаева - д.б.н., зав. лабораторией лекарственной безопасности, НИИ фармакологии, ГБОУ ВПО «Волгоградский государственный медицинский университет» Минздравсоцразвития РФ С.А. Лебедева - к.б.н., науч. сотрудник, лаборатория лекарственной безопасности, НИИ фармакологии, ГБОУ ВПО «Волгоградский государственный медицинский университет» Минздравсоцразвития РФ М.В. Харитонова - к.м.н., ассистент, кафедра фармакологи, ГБОУ ВПО «Волгоградский государственный медицинский университет» Минздравсоцразвития РФ. E-mail: marykharitonova@yandex.ru Т.М. Бундикова - мл. науч. сотрудник, лаборатория лекарственной безопасности, НИИ фармакологии, ГБОУ ВПО «Волгоградский государственный медицинский университет» Минздравсоцразвития РФ А.В. Смирнов - д.м.н., профессор, зав. кафедрой патологической анатомии, ГБОУ ВПО «Волгоградский государственный медицинский университет» Минздравсоцразвития РФ. E-mail: alexey-smirnov@rambler.ru В.А. Толокольников - аспирант, кафедра патологической анатомии, ГБОУ ВПО «Волгоградский государственный медицинский университет» Минздравсоцразвития РФ О.Ю. Евсюков - аспирант, кафедра патологической анатомии, ГБОУ ВПО «Волгоградский государственный медицинский университет» Минздравсоцразвития РФ А.А. Желтова - аспирант, кафедра фармакологи, ГБОУ ВПО «Волгоградский государственный медицинский университет» Минздравсоцразвития РФ. E-mail: ZheltovaA@yandex.ru
Аморфизация поверхностного слоя металлов при имплантации ионов аргона
В.А. Ивченко - д.ф.-м.н., профессор, Институт электрофизики Уральского Отделения РАН. Е-mail: ivchenko@iep.uran.ru
Кремниевый транзистор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоляторе
С.В. Амитонов - аспирант, физический факультет, МГУ. E-mail: sam-msu@yandex.ru Д.Е. Преснов - к.ф.-м.н.. ст. науч. сотрудник, отдел микроэлектроники, НИИЯФ, МГУ. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru В.А. Крупенин - к.ф.-м.н.. ст. науч. сотрудник, физический факультет, МГУ. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Сосудистый имплант малого диаметра на основе полиоксиалканоатов и поликапролактона: результаты тестирования in vitro
Л.В. Антонова - к.м.н., вед. науч. сотрудник, лаборатория клеточных технологий, ФГБУ «Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний» СО РАМН. E-mail: antonova.la@mail.ru А.С. Головкин - к.м.н., заведующий отделом экспериментальной и клинической кардиологии, зав. лабораторией клеточных технологий, ФГБУ «Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний» СО РАМН. E-mail: golovkin_a@mail.ru Д.Е. Филипьев - к.м.н., ст. науч. сотрудник, лаборатория реконструктивной хирургии мультифокального атеросклероза, ФГБУ «Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний» СО РАМН. E-mail: dmitry.filipjev@yandex.ru Я.Г. Торопова - науч. сотрудник, лаборатория клеточных технологий, ФГБУ «Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний» СО РАМН. E-mail: yana.toropova@mail.ru В.Г. Матвеева - науч. сотрудник, лаборатория клеточных технологий, ФГБУ «Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний» СО РАМН. E-mail: matveeva_vg@mail.ru Е.А. Великанова - мл. науч. сотрудник, лаборатория клеточных технологий, ФГБУ «Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний» СО РАМН. E-mail: telella@mail.ru В.В. Борисов - к.б.н., вед. науч. сотрудник, лаборатория ультраструктурных исследований тканей, ФГБУ «Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний» СО РАМН. E-mail: borisov_vadim@mail.ru Ю.А. Кудрявцева - д.б.н., зав. лабораторией новых биоматериалов, ФГБУ «Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний» СО РАМН. E-mail: yukemcard@mail.ru Т.В. Глушкова - к.б.н., науч. сотрудник, лаборатория новых биоматериалов, ФГБУ «Научно-исследовательский институт комплексных проблем сердечно-сосудистых заболеваний» СО РАМН. E-mail: glushtv@cardio.kem.ru
Влияние радиационной обработки быстрыми электронами на кремниевые высокочастотные p-i-n-диоды с барьером Шоттки
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru А.С. Дренин - вед. инженер СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: dasnew@mail.ru П.Б. Лагов - к.т.н., доцент, кафедра «Полупроводниковая электроника и физика полупроводников», НИТУ «МИСиС». E-mail: lagov2000@mail.ru М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Формирование и структура наноразмерного слоя карбида кремния на кремнии при имплантации ионов углерода высоких доз
И.К. Бейсембетов - д.э.н., профессор, ректор, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: rector@kbtu.kz К.Х. Нусупов - д.ф-м.н., профессор, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: rich-famouskair@mail.ru Н.Б. Бейсенханов - к.ф-м.н., вед. науч. сотрудник, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: beisen@mail.ru С.К. Жариков - к.ф-м.н., вед. науч. сотрудник, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: zharikov55@mail.ru Б.К. Кенжалиев - д.т.н., профессор, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: bagdaulet_k@mail.ru Т.К. Ахметов - аспирант, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: timurah@mail.ru
Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе
Д. Е. Преснов - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, Отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С. В. Амитонов - аспирант, физический факультет, Московский Государственный Университет. E-mail: sam-msu@yandex.ru В.С. Власенко - руководитель департамента Научного и Промышленного Материаловедения, ООО «ОПТЭК» (Москва). E-mail: vlasenko@optecgroup.com В. А. Крупенин - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, физический факультет, Московский Государственный Университет. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе
Д. Е. Преснов - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, Отдел микроэлектроники, НИИЯФ, Московский Государственный Университет. E-mail: denis.presnov@phys.msu.ru С. В. Амитонов - аспирант, физический факультет, Московский Государственный Университет. E-mail: sam-msu@yandex.ru В.С. Власенко - руководитель департамента Научного и Промышленного Материаловедения, ООО «ОПТЭК» (Москва). E-mail: vlasenko@optecgroup.com В. А. Крупенин - к. ф.-м. н., ст. научн. сотрудник, физический факультет, Московский Государственный Университет. E-mail: vladimir.krupenin@phys.msu.ru
Природа радиационного повреждения в алмазах
А.А. Хомич - мл. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: antares-610@yandex.ru А.Ф. Попович - ст. инженер, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН О.Н. Поклонская - к.ф.-м.н., мл. науч. сотрудник, Белорусский государственный университет Р.А. Хмельницкий - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (Москва) А.В. Хомич - к.ф.-м.н., вед науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Влияние качества тонких диэлектрических пленок на надежность интегральных микросхем
О.Н. Глотова - студентка, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: luckyfox13@mail.ru С.А. Адарчин - к.т.н., доцент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: drach@kaluga.org
Формирование и исследование фотолюминесцентных центров в алмазах, осажденных из газовой фазы
А.А. Хомич - к.ф.-м.н., мл. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: antares-610@yandex.ru А.А. Аверин - мл. науч. сотрудник, ИФХЭ им. А.Н. Фрумкина РАН (Москва)
Особенности настройки системы кохлеарной имплантации во время операции и в послеоперационный период

А.И. Егоров1, Е.М. Глуховский2

1,2 Московский физико-технический институт (государственный университет)

Восприятие громкости в системах кохлеарной имплантации

A.А. Яновская1, Е.М. Глуховский,2, А.И. Егоров3

1-3 Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (г. Долгопрудный, Россия)

Повышение надежности технологии формирования области базы транзисторов операционных усилителей

К.В. Попова – студент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: krispo1994@yandex.ru

С.А. Адарчин – к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: adarchin@rambler.ru

В.Г. Косушкин – зав. кафедрой ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: kosushkin@gmail.com

Е.Г. Пёрышкин – зам. гл. технолога, АО «ВОСХОД»-КРЛЗ E-mail: pesha1953@gmail.com