350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №2 за 2013 г.
Статья в номере:
Формирование и структура наноразмерного слоя карбида кремния на кремнии при имплантации ионов углерода высоких доз
Ключевые слова: имплантация ионы углерода кремний карбид кремния наноразмерные пленки рентгеновская рефлектометрия ИК-спектроскопия
Авторы:
И.К. Бейсембетов - д.э.н., профессор, ректор, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: rector@kbtu.kz К.Х. Нусупов - д.ф-м.н., профессор, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: rich-famouskair@mail.ru Н.Б. Бейсенханов - к.ф-м.н., вед. науч. сотрудник, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: beisen@mail.ru С.К. Жариков - к.ф-м.н., вед. науч. сотрудник, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: zharikov55@mail.ru Б.К. Кенжалиев - д.т.н., профессор, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: bagdaulet_k@mail.ru Т.К. Ахметов - аспирант, Казахстанско-Британский технический университет (г. Алматы, Казахстан). Е-mail: timurah@mail.ru
Аннотация:
Рассмотрено изменение состава поверхности монокристаллического кремния при высокодозовой имплантации углерода с образованием структуры карбида кремния в приповерхностном слое. Методом рентгеновской рефлектометрии определен состав, плотность и толщина образованных наноразмерных пленок SiС0,7 и SiС0,95.
Страницы: 36-42
Список источников

  1. Liao F., Girshick S.L., Mook W.M., et al. //Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 171913.
  2. Афанасьев А.В., Ильин В.А., Корляков А.В., и др. // Физика и технология микро- и наносистем / Под ред. В.В. Лучинина иВ.В. Малиновского. СПб.: Изд. «Русская коллекция». 2011. С. 50.
  3. Oguri K., Sekigawa T. // United State Patent. 2004. Sep.16.  Pub. № US 2004/0180242 A1.
  4. Yаn Н., Wang В., Song Х.М., et al. // Diamond and related materials. 2000. V. 9. P. 1795.
  5. Chen D., Wong S.P., Yang Sh., Mо D. // Thin Solid Films. 2003. V. 426. P. 1.
  6. Liangdeng Y., Intarasiri S., Kamwanna T., Singkarat S. // In book -Ion beam applications in surface and bulk modification of insulators?. Austria, Vienna. IAEA-TECDOC-1607. 2008.  P. 63.
  7. Lindner J.K.N.// Appl.Phys. A. 2003. V. 77. P. 27.
  8. Borders J.A., Picraux S.T., Beezhold W. // Appl.Phys.Lett. 1971. V. 18, iss. 11. P. 509.
  9. Bayazitov R.M., Haibullin I.B., Batalov R.I., et al. // Nucl. Instrum. Meth. in Phys. Res. В. 2003. V. 206. P. 984.
  10. Serre C., Romano-Rodríguez A., Pérez-Rodríguez A., et al. // Sensors and Actuators A: Physical. 1999. № 1-3. P. 169.
  11. Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., et al.//Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2009. V. 3, № 5. P. 702.
  12. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B. // In book: "Silicon carbide". 2011. Chapter 4. InTech - Open Access Publisher. P. 69.
  13. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Валитова И.В., и др. // Физика твердого тела. 2006. Т. 48, вып.7. С. 1187.
  14. Touryanski A.G., Vinogradov A.V., Pirshin I.V. // Patent no. 6041098. US Cl. 378-70. Official Gazette March 21, 2000. P. 2960.
  15. Tурьянский А., Герасименко Н., Пиршин И., Сенков В. // Наноиндустрия. 2009. 5. С. 40.
  16. Gibbons J.F., Johnson W.S., Hylroic S.W.// In book: Projected Range Statistics. Part 1. 1975. 2nd ed. Dowden,  Stroudsburg. PA. 93 p.
  17. Henke B.L., Gullikson E.M., Davis J.C.//Atomic Data and Nuclear Data Tables. 1993. V.54, № 2. (http://henke.lbl.gov/optical_constants/). P. 181.