Н.В. Черкесова1, Г.А. Мустафаев2, А.Г. Мустафаев3

1,2 ФГБОУ ВО «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (г. Нальчик, Россия)
3 ГАОУ ВО «Дагестанский государственный университет народного хозяйства» (г. Махачкала, Россия)
1 natasha07_2002@mail.ru, 2 zoone@mail.ru, 3 arslan_mustafaev@mail.ru

Постановка проблемы. Ионная имплантация ионами отдачи или ионное перемешивание, основанное на внедрении требуемой примеси из поверхностных слоев при передаче им кинетической энергии первичного пучка, имеют большие перспективы для получения структур и соединений с заданными свойствами. В процессе масштабирования сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) паразитное сопротивление межсоединений и неомический характер контактов являются ограничивающими факторами.

Цель. Разработать низкотемпературную технологию получения межсоединений и контактов силицида молибдена воздействием ионных пучков.

Результаты. Представлена технология управляемого формирования силицида молибдена при пониженной температуре с применением имплантации ионов, вызывающих ионное перемешивание.

Практическая значимость. Низкотемпературная технология формирования межсоединений и контактов силицида молибдена с использованием ионной имплантации позволит получать полупроводниковые устройства с улучшенными электрофизическими параметрами.

Черкесова Н.В., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Низкотемпературная технология формирования межсоединений и контактов воздействием ионных пучков // Наукоемкие технологии. 2025. Т. 26. № 1. С. 24−28. DOI: https://doi.org/ 10.18127/j19998465-202501-03

1. Chang L., Yang-kyu Choi, Ha D., Ranade P., Xiong S., Bokor J. Extremely scaled silicon nano-CMOS devices. Proceedings of the IEEE. 2003. V. 91. Is. 11. P. 1860–1873.
2. Kamineni V., Carr A., Niu C., Adusumilli P., Abrams T., Xiel R. Contact Metallization for Advanced CMOS Technology Nodes. IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC). Santa Clara. USA. 2018. P. 28–29. DOI: 10.1109/IITC.2018.8454844.
3. Maddox R.L. On the optimization of VLSI contacts. IEEE Transactions on Electron Devices. 1985. V. 32. № 3. P. 682–690. DOI: 10.1109/T-ED.1985.21999.
4. Kuo T., Shih T., Su Y., Lee W., Liao W. Investigation the plating and wetting ability of reactive sputtered Molybdenum-Tungsten multi-layers for advanced Cu metallization. IEEE 16th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO). 2016. P. 703–705.
5. Stöber L., Konrath J.P., Patocka F., Schneider M., Schmid U. Controlling 4H–SiC Schottky Barriers by Molybdenum and Molybdenum Nitride as Contact Materials. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016. V. 63. № 2. P. 578–583. DOI: 10.1109/TED.2015.2504604.
6. Adusumilli P., Carr A.V., Ozcan A.S., Lavoie C., Jordan-Sweet J., Prater D. Formation and microstructure of thin Ti silicide films for advanced technologies. IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC). San Jose. CA. USA. 2016. P. 139–140. DOI: 10.1109/IITC-AMC.2016.7507710.
7. Zheng Y., Meng L. Magnetron sputtering metallization and effects of heat treatment on bonding strength. IEEE International Vacuum Electronics Conference (IVEC). 2016. P. 1–2.
8. Cooper C.B., Powell R.A. The use of rapid thermal processing to control dopant redistribution during formation of tantalum and molybdenum silicide/n+polysilicon bilayers. IEEE Electron Device Letters. 1985. V. 6. № 5. P. 234–236. DOI: 10.1109/EDL.1985.26109.
9. Мустафаев Г.А., Уянаева М.М., Мустафаев А.Г. Взаимодействие слоев в системе Al-NiSi при наличии подслоя вольфрама // Материалы IV Международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике». Нальчик. 2011. C. 184–185.
10. Патент № 2340038 (РФ), МПК H01L 21/265. Способ изготовления полупроводникового прибора / Г.А. Мустафаев,
    А.Г. Мустафаев. 2008.
11. Chatterjee S., Kuo Y., Lu J., Tewg J., Majhi P. Effects of post metallization annealing on the electrical reliability of ultra-thin HfO/sub 2/ films with MoN and WN gate electrodes // IEEE International Reliability Physics Symposium, Proceedings. 2005. P. 626–627.