350 руб
Журнал «Антенны» №3 за 2012 г.
Статья в номере:
Ионно-лучевая литография в технологии полупроводниковой СВЧ-микроэлектроники
Авторы:
В.В. Перинский - д.т.н., профессор, кафедра «Физическое материаловедение и технологии новых материалов», Саратовский государственный технический университет В.Н. Лясников - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Физическое материаловедение и технологии новых материалов», Саратовский государственный технический университет
Аннотация:
Изготовление интегральных схем СВЧ и разработка сложных монолитных схем требует новой технологической базы на основе совместимых между собой лучевых методов локальной обработки материалов. В наибольшей степени этим требованиям удовлетворяет ионно-лучевая обработка, которая используется в настоящее время для создания активных, изолирующих и резистивных областей в GaAs, ионного фрезерования, осаждения, локального травления, ионной литографии. Единство физико-химической природы, локальность, возможность электрофизических и химических воздействий ионно-лучевой обработки на материалы в принципе обеспечивает проведение всех основных технологических операций и их интеграцию. В силу этих причин, достижение высокого технологического уровня СВЧ ИС связано с внедрением методов ионно-лучевой обработки.
Страницы: 18-20
Список источников
  1. Козейкин Б. В.и др. Физико-технологические особенности ионного легирования монокристаллического и эпитаксиального арсенида галлия для монолитных СВЧ-устройств // Электроника. 1983.
  2. Лабунов В. А. Развитие микро- и наноэлектроники // Сб. науч. статей V Российско-Японского семинара Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. 2007. Т. 1. С. 179-201.