Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову ионная имплантация
Миграция кислорода и формирование субоксидов кремния SiOx в низкоразмерной гетеросистеме SiO2/Si после имплантации ионами Si+
Д.А.Зацепин, к.фю-м.н.,доцент, Уральский государственный технический университет (УПИ), 620002 Екатеринбург, Россия. E-mail: nexcom@list.ru S. Kaschieva - Institute of Solid State Physics - Bulgarian Academy of Sciences, 1874 Sofia, Bulgaria. H.J. Fitting - Department of Physics, University of Rostock, Germany Э.З. Курмаев - Институт физики металлов Уральского Отделения Российской академии наук, 620041 Екатеринбург, Россия C.Н. Шамин - Институт физики металлов Уральского Отделения Российской академии наук, 620041 Екатеринбург, Россия
Ионно-имплантационная обработка металлических слоев в технологии микроприборов СВЧ
И. В. Перинская - к. т. н., ассистент, кафедра «Биотехнические и медицинские аппараты и системы», Саратовский государственный технический университет
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ИОННО-МОДИФИЦИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ ЧАСТЬ 1: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ
Д.А. ЗАЦЕПИН к.ф-м.н., ст. научн. сотрудник, Институт физики металлов Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург) E-mail: nexcom@list.ru А.С. СИГОВ чл.-корр. РАН, ректор, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: assigov@yandex.ru Э.З. КУРМАЕВ д.ф.-м.н., гл. научн. сотрудник, Институт физики металлов Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург) Е-mail: kurmaev@ifmlrs.uran.ru
Электронная структура ионно-модифицированных материалов. Часть 1: Полупроводниковые системы
Д.А. Зацепин - к.ф-м.н., ст. научн. сотрудник, Институт физики металлов Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург). E-mail: nexcom@list.ru А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, ректор, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: assigov@yandex.ru Э.З. Курмаев - д.ф.-м.н., гл. научн. сотрудник, Институт физики металлов Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург). Е-mail: kurmaev@ifmlrs.uran.ru
Электронная структура ионно-модифицированных материалов. Часть 1: Полупроводниковые системы
Д.А. Зацепин - к.ф-м.н., ст. научн. сотрудник, Институт физики металлов Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург). E-mail: nexcom@list.ru А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, ректор, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: assigov@yandex.ru Э.З. Курмаев - д.ф.-м.н., гл. научн. сотрудник, Институт физики металлов Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург). Е-mail: kurmaev@ifmlrs.uran.ru
Ионно-лучевая литография в технологии полупроводниковой СВЧ-микроэлектроники
В.В. Перинский - д.т.н., профессор, кафедра «Физическое материаловедение и технологии новых материалов», Саратовский государственный технический университет В.Н. Лясников - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Физическое материаловедение и технологии новых материалов», Саратовский государственный технический университет
Аморфизация поверхностного слоя металлов при имплантации ионов аргона
В.А. Ивченко - д.ф.-м.н., профессор, Институт электрофизики Уральского Отделения РАН. Е-mail: ivchenko@iep.uran.ru
Влияние радиационной обработки быстрыми электронами на кремниевые высокочастотные p-i-n-диоды с барьером Шоттки
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru А.С. Дренин - вед. инженер СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: dasnew@mail.ru П.Б. Лагов - к.т.н., доцент, кафедра «Полупроводниковая электроника и физика полупроводников», НИТУ «МИСиС». E-mail: lagov2000@mail.ru М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru
Природа радиационного повреждения в алмазах
А.А. Хомич - мл. науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: antares-610@yandex.ru А.Ф. Попович - ст. инженер, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН О.Н. Поклонская - к.ф.-м.н., мл. науч. сотрудник, Белорусский государственный университет Р.А. Хмельницкий - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (Москва) А.В. Хомич - к.ф.-м.н., вед науч. сотрудник, Фрязинский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Формирование и исследование фотолюминесцентных центров в алмазах, осажденных из газовой фазы
А.А. Хомич - к.ф.-м.н., мл. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: antares-610@yandex.ru А.А. Аверин - мл. науч. сотрудник, ИФХЭ им. А.Н. Фрумкина РАН (Москва)
Повышение надежности технологии формирования области базы транзисторов операционных усилителей

К.В. Попова – студент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: krispo1994@yandex.ru

С.А. Адарчин – к.т.н., доцент, кафедра ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: adarchin@rambler.ru

В.Г. Косушкин – зав. кафедрой ЭИУ4, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: kosushkin@gmail.com

Е.Г. Пёрышкин – зам. гл. технолога, АО «ВОСХОД»-КРЛЗ E-mail: pesha1953@gmail.com