350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №5 за 2011 г.
Статья в номере:
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ИОННО-МОДИФИЦИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ ЧАСТЬ 1: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ
Ключевые слова: функция плотности электронных состояний ионная имплантация наноструктурирование материала каналирование ионов радиационно-стимулированное разупорядочение область неустойчивости изотерма Ван-дер-Ваальса антиструктурный дефект квазихимические реакции аморфизация сверхрешетка
Авторы:
Д.А. ЗАЦЕПИН к.ф-м.н., ст. научн. сотрудник, Институт физики металлов Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург) E-mail: nexcom@list.ru А.С. СИГОВ чл.-корр. РАН, ректор, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: assigov@yandex.ru Э.З. КУРМАЕВ д.ф.-м.н., гл. научн. сотрудник, Институт физики металлов Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург) Е-mail: kurmaev@ifmlrs.uran.ru
Аннотация:
Изложены и проанализированы сведения об особенностях формирования энергетического спектра электронных состояний низкоразмерных структур для случая одно-, двух- и нульмерных систем, проведена их классификация, исходя из существующих теоретических представлений. Показано, что к основным методам формирования низкоразмерных новообразований в объеме полупроводниковых и диэлектрических материалов можно отнести ионную имплантацию, которая обладает принципиальными преимуществами по сравнению с общепринятыми способами наноструктурирования материалов микро- и наноэлектроники.
Страницы: 3-16
Список источников
  1. Isawa Y., Suwa F. Transport trough Discrete Energy Levels in Quantum Dots // Jap. J. Appl. Phys. 1995.V.34. Р.4492-4495.
  2. Haberland H.Clusters of atoms and molecules. Heidelberg: Springer-Verlag. Berlin. 1994. 440 p.
  3. Prigogin I., Rice S.A. Evolution of size effects in chemical dynamics // Adv.Chem. Phys. 1998. V. 70. Рt. 2. Р. 75-138.
  4. Сергеев Г.Б. Нанохимия. М.: МГУ. 2003. 288 c.
  5. Помогайло А.Д., Розенберг А.С., Уфлянд А.С.Наночастицы металлов в полимерах. М.: Химия. 2000. 672 c.
  6. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы. М.: Наука. 1986. 235 c.
  7. Губин C.П. Химия нанокластеров. М.: Наука. 1987. 262 c.
  8. Суздалев И.П. Физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.:Комкнига. 2006. 592 c.
  9. Alivisatos A.P. Semiconductor Clusters, Nanocrystals, and Quantum Dots // Science.1996. V. 271. Р. 933-937.
  10. Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. М.: РИЦ Техносфера. 2004. 330 c.
  11. Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники.М.: РИЦ Техносфера. 2007. 368 c.
  12. Бондарев В.М., Тарасевич Д.В. Статистическая теория фазового равновесия кристалл-газ: роль квантовых эффектов // Физика твердого тела. 2007. Т. 49. Вып. 1. С. 131-135.
  13. Fox A.M. Optoelectronics in quantum well structures // Contemporary Physics. 1996. V. 37. Is. 2. Р. 111-125.
  14. Murray C.B., Kagan C.R., Bawendi M.G. Synthesis and Characterization of Monodisperse Nanocreystals and Close-packed Nanocrystal Assemblies // Annual Review of Material Science. 2000. V. 30. Р. 545-610.
  15. Matsuoka H., Kimura S. Transport Properties of a Silicon Single-Electron Transistor at 4.2K // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 613-615.
  16. Matsuoka H., Ahmed H., Transport Properties of Two Quantum Dots Connected in Series Formed in Silicon Inversion Layers// Japan. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. Р. L418-L420.
  17. Likharev K.K.Correlated Discrete Transfer of Single Electrons in Ultrasmall Tunnel Junctions // IBM Journal. Res. and Develop. 1988. V. 32. P. 144-158.
  18. Geerligs L.J.Physics of Nanostructures. Cambridge: Univ. Press. 1992. 172 p.
  19. Питер Ю., Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит. 2002. 560 c.
  20. Герасименко Н., Пархоменко Ю. Кремний - материал наноэлектроники. М.: РИЦТехносфера. 2007. 351 с.
  21. Berger R.A Note on the Li-Cu-O System // J. Less-Common Met. 1991. V. 169. Р. 33--43.
  22. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир. 1973. 296 c.
  23. Sigmund P. AMechanism of Surface Micro-Roughening by Ion Bombardment // J. Mater. Sci. 1973. V. 8. Р. 1545-1553.
  24. Bradley R.M. Harper J.M.E. Theory of Ripple Topografy Induced by Ion Bombardment // J. Vac. Sci. Technol. 1988. V. A6. Р. 2390-2395.
  25. Загидулин Ю.С., Шауцуков А.Г. Моделирование процесса радиационно-стимулированной диффузии в ионно-легированных слоях. // Нано- и Микросистемная техника.2004. Т. 4. 2004. С. 2-16.
  26. Kahng B., Jeong H., Barabasi A.-L.Quantum Dot and Hole in Sputter Erosion // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 7. Р. 805-807.
  27. Corbett J.W., Gerasimenko N.N., Verner I.V. Chaos and Defect Control in Semiconductors // Elsevier Sci. Publishers. Holland. 1990. 466 p.
  28. Bakai A.S., Turkin A.A.Materials of 15th Internat. Symp. On Radiation Effects in Semiconductors. 1992. V. I. 1992. Р. 709.
  29. Sugakov V.I.Materials of 14th Internat. Symp. On Radiation Effects in Semiconductors.1989. V. II. Р. 510.
  30. Селищев П.А.Самоорганизация в радиационной физике.Киев: «Аспект полиграф». 2004. 240 с.
  31. Sugakov V.I.Spinoidal Decay in a System of Unstable Particles // Solid State Communic.1998. V. 106. No. 11. Р. 705-709.
  32. Михайловский В.В., Рассел К.С., Сугаков В.И.Образование сверхрешеток в бинарных соединениях при ядерном облучении. // Физика твердого тела. 2000. Т. 42. Вып. 3. С. 471-477.
  33. Sugakov V.I.Lectures in synergetics. World Scientific, Singapore. 1998. 207 p.
  34. Вакс В.Г., Бейден С.В. Особенности  явлений  упорядочения в открытых системах: рассмотрение модели сплава под облучением в приближении самосогласования поля // ЖЭТФ. 1994. Т. 105. Bып. 4. С. 1017-1022.
  35. Hsieh K.C., Baillargeon J.N., Cheng K.Y. Compositional Modulation and Long-range Ordering in GaP/InP Short-period Superlattices Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. Р. 2244-2246.
  36. Ferguson I.T., Norman A.G., Joyce B.A., Seong Т-Y, Booker G.R., Thomas R.H., Phillips C.C., Stradling R.A., Joyce A.B. Molecular beam epitaxial growth of InAsSb strained layer superlattices. Can nature do it better // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. Р. 3324-3326.