350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №1 за 2011 г.
Статья в номере:
Электронная структура ионно-модифицированных материалов. Часть 1: Полупроводниковые системы
Ключевые слова:
функция плотности электронных состояний
ионная имплантация
наноструктурирование материала
каналирование ионов
радиационно-стимулированное разупорядочение
область неустойчивости
изотерма Ван-дер-Ваальса
антиструктурный дефект
квазихимические реакции
аморфизация
сверхрешетка
Авторы:
Д.А. Зацепин - к.ф-м.н., ст. научн. сотрудник, Институт физики металлов Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург). E-mail: nexcom@list.ru
А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, ректор, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). E-mail: assigov@yandex.ru
Э.З. Курмаев - д.ф.-м.н., гл. научн. сотрудник, Институт физики металлов Уральского отделения РАН (г. Екатеринбург). Е-mail: kurmaev@ifmlrs.uran.ru
Аннотация:
Изложены и проанализированы сведения об особенностях формирования энергетического спектра электронных состояний низкоразмерных структур для случая одно-, двух- и нульмерных систем, проведена их классификация, исходя из существующих теоретических представлений. Показано, что к основным методам формирования низкоразмерных новообразований в объеме полупроводниковых и диэлектрических материалов можно отнести ионную имплантацию, которая обладает принципиальными преимуществами по сравнению с общепринятыми способами наноструктурирования материалов микро- и наноэлектроники
Страницы: 3-16
Список источников
- Isawa Y., Suwa F. Transport trough Discrete Energy Levels in Quantum Dots // Jap. J. Appl. Phys. 1995. V.34. Р. 4492-4495.
- Haberland H. Clusters of atoms and molecules. Heidelberg: Springer-Verlag. Berlin. 1994. 440 p.
- Prigogin I., Rice S.A. Evolution of size effects in chemical dynamics // Adv.Chem. Phys. 1998. V. 70. Рt. 2. Р. 75-138.
- Сергеев Г.Б. Нанохимия. М.: МГУ. 2003. 288 c.
- Помогайло А.Д., Розенберг А.С., Уфлянд А.С. Наночастицы металлов в полимерах. М.: Химия. 2000. 672 c.
- Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы. М.: Наука. 1986. 235 c.
- Губин C.П. Химия нанокластеров. М.: Наука. 1987. 262 c.
- Суздалев И.П. Физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: Комкнига. 2006. 592 c.
- Alivisatos A.P. Semiconductor Clusters, Nanocrystals, and Quantum Dots // Science. 1996. V. 271. Р. 933-937.
- Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. М.: РИЦ Техносфера. 2004. 330 c.
- Мартинес-Дуарт Дж.М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. М.: РИЦ Техносфера. 2007. 368 c.
- Бондарев В.М., Тарасевич Д.В. Статистическая теория фазового равновесия кристалл-газ: роль квантовых эффектов // Физика твердого тела. 2007. Т. 49. Вып. 1. С. 131135.
- Fox A.M. Optoelectronics in quantum well structures // Contemporary Physics. 1996. V. 37. Is. 2. Р.111-125.
- Murray C.B., Kagan C.R., Bawendi M.G. Synthesis and Characterization of Monodisperse Nanocreystals and Close-packed Nanocrystal Assemblies // Annual Review of Material Science. 2000. V. 30. Р. 545-610.
- Matsuoka H., Kimura S. Transport Properties of a Silicon Single-Electron Transistor at 4.2K // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 613-615.
- Matsuoka H., Ahmed H., Transport Properties of Two Quantum Dots Connected in Series Formed in Silicon Inversion Layers // Japan. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. Р. L418-L420.
- Likharev K.K. Correlated Discrete Transfer of Single Electrons in Ultrasmall Tunnel Junctions // IBM Journal. Res. and Develop. 1988. V. 32. P. 144-158.
- Geerligs L.J. Physics of Nanostructures. Cambridge: Univ. Press. 1992. 172 p.
- Питер Ю., Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит. 2002. 560 c.
- Герасименко Н., Пархоменко Ю. Кремний - материал наноэлектроники. М.: РИЦ Техносфера. 2007. 351 с.
- Berger R. A Note on the Li-Cu-O System // J. Less-Common Met. 1991. V. 169. Р. 33-43.
- Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир. 1973. 296c.
- Sigmund P. A Mechanism of Surface Micro-Roughening by Ion Bombardment // J. Mater. Sci. 1973. V. 8. Р. 1545-1553.
- Bradley R.M. Harper J.M.E. Theory of Ripple Topografy Induced by Ion Bombardment // J. Vac. Sci. Technol. 1988. V. A6. Р. 2390-2395.
- Загидулин Ю.С., Шауцуков А.Г. Моделирование процесса радиационно-стимулированной диффузии в ионно-легированных слоях. // Нано- и Микросистемная техника. 2004. Т. 4. 2004. С. 2-16.
- Kahng B., Jeong H., Barabasi A.-L. Quantum Dot and Hole in Sputter Erosion // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 7. Р. 805-807.
- Corbett J.W., Gerasimenko N.N., Verner I.V. Chaos and Defect Control in Semiconductors // Elsevier Sci. Publishers. Holland. 1990. 466 p.
- Bakai A.S., Turkin A.A. Materials of 15th Internat. Symp. On Radiation Effects in Semiconductors. 1992. V. I. 1992. Р. 709.
- Sugakov V.I. Materials of 14th Internat. Symp. On Radiation Effects in Semiconductors. 1989. V. II. Р. 510.
- Селищев П.А. Самоорганизация в радиационной физике. Киев: «Аспект полиграф». 2004. 240с.
- Sugakov V.I. Spinoidal Decay in a System of Unstable Particles // Solid State Communic. 1998. V. 106. No. 11. Р. 705-709.
- Михайловский В.В., Рассел К.С., Сугаков В.И. Образование сверхрешеток в бинарных соединениях при ядерном облучении. // Физика твердого тела. 2000. Т. 42. Вып. 3. С. 471-477.
- Sugakov V.I. Lectures in synergetics. World Scientific, Singapore. 1998. 207 p.
- Вакс В.Г., Бейден С.В. Особенности явлений упорядочения в открытых системах: рассмотрение модели сплава под облучением в приближении самосогласования поля // ЖЭТФ. 1994. Т. 105. Bып. 4. С. 1017-1022.
- Hsieh K.C., Baillargeon J.N., Cheng K.Y. Compositional Modulation and Long-range Ordering in GaP/InP Short-period Superlattices Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. Р. 2244-2246.
- Ferguson I.T., Norman A.G., Joyce B.A., Seong Т-Y, Booker G.R., Thomas R.H., Phillips C.C., Stradling R.A., Joyce A.B. Molecular beam epitaxial growth of InAsSb strained layer superlattices. Can nature do it better // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. Р. 3324-3326.