О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству, ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru А.С. Дренин - вед. инженер СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: dasnew@mail.ru П.Б. Лагов - к.т.н., доцент, кафедра «Полупроводниковая электроника и физика полупроводников», НИТУ «МИСиС». E-mail: lagov2000@mail.ru М.Ю. Филатов - к.т.н., зам. директора СКБ, ОАО «Оптрон». E-mail: skb-optron@mail.ru

Приведены результаты экспериментальных исследований влияния обработки быстрыми электронами и последующего низкотемпературного отжига на комплекс параметров кремниевых p-i-n-структур с различной толщиной i-слоя, используемых для изготовления СВЧ p-i-n-диодов и диодов с барьером Шоттки. Показаны экспериментальные образцы p-i-n-диодов с тонкой базой с применением радиационной обработки быстрыми электронами с энергией 5 МэВ. Дан сравнительный анализ основных электрических характеристик полученных диодов и их зарубежных аналогов HSMP3820 фирмы «Avago Technologies». Исследована возможность низкотемпературной радиационно-ускоренной активации и разгонки имплантированных ионов бора в кремний для создания р-n-перехода после формирования контактной металлизации и эффективность применения обработки ускоренными электронами для увеличения максимальной рабочей температуры и уменьшения обратных токов диодов с барьером Шоттки.

 

1. Дренин А.С., Лагов П.Б., Роговский Е.С., Руднев С.В. Радиационная обработка кремниевых p-i-n структур с различной толщиной i-слоя // ВАНТ. Сер.: Физика радиационного воздействия на РЭА. 2012. № 1. С. 76-78.
2. Филатов М.Ю., Роговский Е.С., Колмакова Т.П., Меженный М.В., Дренин А.С. Исследование и устранение причин брака при производстве мощных кремниевых p-i-n диодов // Электронная техника. Сер. 2.  Полупроводниковые приборы. 2012. № 2. С. 77-86.
3. Жукова Н.С., Крымко М.М., Ледовских А.П., Максимов А.Н, Сопов О.В. Анализ способов снижения времени восстановления обратного сопротивления мощных быстродействующих диодов // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2010. С. 83-87.
4. Рябка П.М., Балагура В.С. Измерение энергии пучка заряженных частиц с помощью аксиально-секционированного цилиндра Фарадея // ВАНТ. Сер.: Ядерно-физические исследования. Харьков. 1999. № 1. С. 98-99.
5. Колмакова Т.П., Дренин А.С., Лагов П.Б.Исследование различных режимов эпитаксиального наращивания слоев кремния для создания p-i-n структур переключательных диодов // Тезисы IV Междунар. науч. конф. «Кремний 2007». Москва. 2007. С. 161.
6. Лагов П.Б., Мусалитин А.М., Дренин А.С.Применение технологической обработки быстрыми электронами для повышения быстродействия переключательных p-i-n диодов // Тезисы IV Росс. конф. с междунар. участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе «Кремний 2007». Москва. 2007. С. 238.
7. Дренин А.С., Лагов П.Б., Филатов М.Ю.Исследование влияния режимов радиационной обработки на кремниевые высокочастотные pin-диоды с тонкой базой // Сб. тезисов. Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы VIII научно-техн. конф. молодых специалистов. 2009. С. 19-20.
8. Лагов П.Б., Дренин А.С., Манякина Д.С.Применение электронного облучения для электрической активации и «разгонки» имплантированного бора в кремнии // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2012. № 3. С. 51-53.
9. Дренин А.С., Лагов П.Б., Филатов М.Ю. Оптимизация параметров ВАХ детекторных диодов с барьером Шоттки на кремнии // Сб. тезисов VIII науч.-техн. конф. молодых специалистов «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Дубна. 2009. С. 22.
10. Дренин А.С., Лагов П.Б., Роговский Е.С., Филатов М.Ю. Влияние радиационной обработки на параметры ионнолегированных слоев кремния // Сб. тезисов Х науч.-техн. конф. молодых специалистов «Твердотельная электроника. СложныефункциональныеблокиРЭА». Дубна. 2011. С. 193-196.