350 руб
Журнал «Электромагнитные волны и электронные системы» №5 за 2016 г.
Статья в номере:
Влияние качества тонких диэлектрических пленок на надежность интегральных микросхем
Ключевые слова: диэлектрик дефект интегральная микросхема качество пленки ионное легирование
Авторы:
О.Н. Глотова - студентка, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: luckyfox13@mail.ru С.А. Адарчин - к.т.н., доцент, Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: drach@kaluga.org
Аннотация:
Определено влияние диэлектрической пленки Si3N4, образующей пассивирующий слой при ионном легировании бором, на надёжность интегральных микросхем. Проведен анализ основных процессов на поверхности пластины, приводящих к ухудшению параметров биполярного транзистора.
Страницы: 3-7
Список источников

 

  1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М.: Радио и связь. 1991. 528 с.
  2. Комаров Ф.Ф. Ионная и фотонная обработка материалов: Учеб. пособие для студентов вузов. Мн.: Белгосуниверситет. 1998.
  3. Пат. 2399115 РФ, МПК H01L21/265. Способ ионного легирования бором областей p-n-перехода полупроводниковых приборов и интегральных схем / Болдин В.Н., Безруков А.В., Барабанщиков В.А.; заявитель и патентообладатель(и): АО «Восход»-Калужский радиоламповый завод. № 2009130774/28; заявл. 13.08.2009; опубл. 10.09.2010. Бюл. № 25.
  4. Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния / Пер. с англ. М.: Металлургия. 1999. 336 с.