Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову heterostructure
Латеральная проводимость в двуслойных молекулярных гетероструктурах на основе фталоцианинов
Е.С. Леонов - к.х.н., заведующий лабораторией, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. E-mail: e_ieonov@inbox.ru А.П. Лучников - ст. научн. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). E-mail: fisika@mail.ru Г.Л. Пахомов - к.х.н., Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород. E-mail: pakhomov@ipm.sci-nnov.ru В.В. Травкин - аспирант, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. E-mail: vladtt@mail.ru
Токовые неустойчивости в резонансно-туннельных диодах
В.Г. Попов - к.ф.-м.н., зам. зав. кафедрой физики и технологии наноэлектроники МФТИ, научн. сотрудник ИПТМ и ОЧМ РАН. E-mail: Popov@iptm-hpm.ac.ru
Селективно-чувствительные МПМ-фотодетекторы ультрафиолетовой части спектра*
С.В. Аверин - д. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: sva278@ire216.msk.su П.И. Кузнецов - к. х. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: PIK218@ire216.msk.su В.А. Житов - ст. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: vaz215@ire216.msk.su Н.В. Алкеев - к. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: alkeev@ms.ire.rssi.ru В.М. Котов - к. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: vmk277@ire216.msk.su А.А. Дорофеев - руководитель отдела Федерального Государственного унитарного предприятия «Научно-производственное предприятие «Пульсар». E-mail: dorofeev@pulsarnpp.ru Н.Б. Гладышева - вед. специалист Федерального Государственного унитарного предприятия «Научно-производственное предприятие «Пульсар». E-mail: dorofeev@pulsarnpp.ru
Динамика заряда в гибридных магнитно-электрических квантовых наноструктурах
П.А. МЕЛЕШЕНКО - научн. сотрудник, Воронежский государственный аграрный университет им. К.Д. Глинки. Е-mail: melechp@yandex.ru И.С. БАРБАРОВ - аспирант, Воронежский государственный аграрный университет им. К.Д. Глинки. Е-mail: bis777@mail.ru Д.А. ЧЕЧИН - научн. сотрудник, Воронежский государственный аграрный университет им. К.Д. Глинки А.Ф. КЛИНСКИХ - д.ф.-м.н., профессор. Воронежский государственный аграрный университет им. К.Д. Глинки
Термокристаллизация структуры наноразмерных плёнок субфталоцианина хлорида бора
В.В. ТРАВКИН - аспирант, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. Е-mail: vladtt@mail.ru Г.Л. ПАХОМОВ - к.х.н., Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). Е-mail: pakhomov@ipm.sci-nnov.ru Т.А. СОРОКИНА - магистр, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского П.А. ЛУЧНИКОВ - Зав. лабораторией, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: fisika@mail.ru
Исследование динамики распада сверхпроводящего состояния оксидных структур
К.Е. Лахманский - студент, МФТИ (ГУ) Г.А. Овсяников - д. ф.-м. н., зав. лабораторией ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН К.И. Константинян - к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: mipt@list.ru
Особенности процессов кристаллизации сегнетоэлектрика в многослойных наноразмерных гетероструктурах
К.А. Воротилов - д.т.н, профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: vorotilov@mirea.ru О.М. Жигалина - д.ф-м.н., профессор, Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН. Е-mail: zigal@nc.crys.ran.ru Ю.В. Подгорный - к.т.н, вед. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: podgsom_2004@mail.ru Д.С. Серегин - к.т.н,, мл. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: d_seregin@mirea.ru А.С. Сигов - академик РАН, профессор, ректор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: rector@mirea.ru
Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru
Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар»
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор по инновационному развитию, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар». e-mail: makarov.pulsar@gmail.com М.В. Пашков - инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: michaelpashkov@yandex.ru Р.И. Тычкин - зам. гл. инженера, ОАО «ГЗ «Пульсар»
Полупроводниковый свет
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru Н.Н. Соловьев - к.ф.-м.н., доцент, МГТУ МИРЭА А.А. Щука - д.т.н.; профессор, МГТУ МИРЭА. E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Метастабильность спинового переноса в слоистых наногетероструктурах с динамически суперсимметричными состояниями
Л.И. Гурский - член-корр., д.т.н., профессор, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск) Г.В. Крылова - к.ф.-м.н., вед. научн. сотрудник, Белорусский государственный университет
Современное состояние и перспективы развития СВЧ-приборов и устройств в ОАО «Светлана»
В. В. Попов - к.т.н., ген. директор, ОАО «Светлана», Санкт-Петербург
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - начальник СКБ ШЗП, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - начальник СКБ "РПИ ГП", ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: anvo@yandex.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - начальник СКБ ШЗП, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - начальник СКБ \"РПИ ГП\", ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: anvo@yandex.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
О.В. Лосев и пути развития русской микроэлектроники в XXI в
С.А. Гилёв - вед. инженер, Музей науки «Нижегородская радиолаборатория» ННГУ им. Н.И. Лобачевского (Национальный исследовательский университет) (г. Нижний Новгород). E-mail: serangil-nrl@yandex.ru М.А. Новиков - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). E-mail: mnovik@ipm.sci-nnov.ru А.А. Потапов - д.ф.-м.н., профессор, гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН; Президент совместной китайско-российской лаборатории информационных технологий и фрактальной обработки сигналов (Китай, Гуанджоу). E-mail: potapov@cplire.ru А.Э. Рассадин - координатор объединенных научно-образовательных программ НРО НТОРЭС им. А.С. Попова (г. Нижний Новгород). E-mail: brat_ras@list.ru
Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов коммуникационных систем
А.А. Арендаренко - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: arendarenko.pulsar@mail.ru В.Н. Данилин - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: danilin.pulsar@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru Р.И. Тычкин - начальник НИЦИТ, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: kb-it@mail.ru
Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума
В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: profgudkov@gmail.com В.А. Добров - начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: dobrov@svetlana-ep.ru Т.Ю. Кудряшова - ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru А.В. Мещеряков - к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru В.Г. Усыченко - д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: usychenko@rphf.spbstu.ru В.Д. Шашурин - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: schashurin@bmstu.ru С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: bmsturl@gmail.com С.В. Чижиков - ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: chigikov95@mail.ru
Магнитосопротивление в гетероструктуре манганит/интерметаллид
А.С. Гришин - студент, Московский технологический университет (МИРЭА); инженер, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) E-mail: alex1995@hitech.cplire.ru А.А. Климов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва); доцент, Московский технологический университет (МИРЭА) Г.А. Овсянников - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) А.М. Петржик - к.ф-м.н., науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) В.Л. Преображенский - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН (Москва) N. Tiercelin - Ph.D., Senior Research Scientist, International Associated Laboratory LEMAC-LICS: IEMN, UMR CNRS, PRES Lille Nord de France, ECLille, Villeneuve d\'Ascq, France P. Pernod - Ph.D,. Professor, Head of Laboratory, International Associated Laboratory LEMAC-LICS: IEMN, UMR CNRS, PRES Lille Nord de France, ECLille, Villeneuve d\'Ascq, France
Элементная база МИС СВЧ для микроволновой радиотермометрии

С.В. Чижиков – аспирант,  кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана 

(Национальный исследовательский университет)

E-mail: chigikov95@mail.ru

Ю.В. Соловьёв – к.т.н., зам. директора по полупроводниковому направлению,  АО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург);  ст. науч. сотрудник, НИИ РЛ МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: solovev@svetlana-ep.ru

Исследование влияния топологии базового транзистора на статические характеристики с целью определения оптимальной конструкции транзистора в составе МИС для микроволновой радиотермометрии

С.В. Чижиков¹, В.Г. Тихомиров², Г.А. Гудков³

  1. Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана 

  (Национальный исследовательский университет) (Москва, Россия) 

  1. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)   (Санкт-Петербург, Россия)
  2. ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)

1 chigikov95@mail.ru, 2 vv11111@yandex.ru, 3 ooo.giperion@gmail.com

Моделирование прозрачности низкоразмерного канала с квантовым ограничением в полупроводниковых приборах на 2D-структурах с поперечным токопереносом

Н.А. Ветрова¹, А.А. Филяев², В.Д. Шашурин³

1, 2, 3 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия),     1 vetrova@bmstu.ru; 2 alex.filyaev.98@gmail.com; 3 schashurin@bmstu.ru

Исследование влияния легирования буферного слоя GaN углеродом на эффект лавинного пробоя нормально открытых HEMT AlGaN/AlN/GaN-транзисторов

Тхан Пьо Чжо

Институт квантовой физики и наноэлектроники Национального исследовательского университета «МИЭТ»  (Москва, Россия) 

Топологически-ориентированный подход к выбору метода моделирования прозрачности гетероструктурных каналов наноэлектронных приборов

В.Д. Шашурин1, Н.А. Ветрова2, Е.В. Куимов3, К.П. Пчелинцев4, А.С. Александров5

1,3–5 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 Российский Университет Дружбы Народов (Москва, Россия)

 

Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур

В.Б. Байбурин – Засл. деятель науки РФ, д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой «Информационная безопасность автоматизированных систем», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: baiburinvb@rambler.ru

В.А. Кузнецов – д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Информационная безопасность автоматизированных систем», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: kuznetsov.va1948@yandex.ru

С.Л. Чернышёв – д.т.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные системы и устройства», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: chernshv@bmstu.ru

С.Л. Шмаков – к.х.н., доцент, кафедра полимеров, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского E-mail: ShmakovSL@info.sgu.ru

Новые вертикальные гетероструктуры на основе монослоев полупроводниковых 2D-материалов: атомное и электронное строение

О.Е. Глухова – д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой радиотехники и электродинамики,

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского E-mail: glukhovaoe@info.sgu.ru

М.М. Слепченков – к.ф.-м.н., доцент,  кафедра радиотехники и электродинамики,

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского E-mail: slepchenkovm@mail.ru

Д.А. Колосов – аспирант, мл. науч. сотрудник, кафедра радиотехники и электродинамики, 

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского E-mail: demkol.93@mail.ru

Исследование влияния погрешностей изготовления на параметры транзисторов для монолитных интегральных схем СВЧ и выявление ключевых факторов, определяющих стабильность их работы в составе миниатюрного радиотермографа

В.Г. Тихомиров1, С.В. Чижиков2

1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (С.-Петербург, Россия)

2 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 ООО «НПИ ФИРМА ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)

Гетероструктурный транзистор для энергоэффективного малошумящего усилителя радиотермографа на основе монолитных интегральных схем

А.Г. Гудков1, В.Г. Тихомиров2, С.В. Чижиков3

1,3 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Санкт-Петербург, Россия)

3 ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)

Моделирование приборных структур наноэлектроники на основе 2D-материалов

И.И. Абрамов1, Н.В. Коломейцева2, В.А. Лабунов3, И.А. Романова4, И.Ю. Щербакова5

1–5 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск, Республика Беларусь)
 

Гетероструктурный транзистор для энергоэффективного малошумящего усилителя радиотермографа на основе монолитных интегральных схем

А.Г. Гудков1, В.Г. Тихомиров2, С.В. Чижиков3

1,3 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (Санкт-Петербург, Россия)

1 profgudkov@gmail.com; 2 vv11111@yandex.ru; 3 chigikov95@mail.ru