В.Б. Байбурин – Засл. деятель науки РФ, д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой «Информационная безопасность автоматизированных систем», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: baiburinvb@rambler.ru

В.А. Кузнецов – д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Информационная безопасность автоматизированных систем», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

E-mail: kuznetsov.va1948@yandex.ru

С.Л. Чернышёв – д.т.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные системы и устройства», МГТУ им. Н.Э. Баумана E-mail: chernshv@bmstu.ru

С.Л. Шмаков – к.х.н., доцент, кафедра полимеров, Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского E-mail: ShmakovSL@info.sgu.ru

Рассмотрена модель варизонной структуры, в которой происходит переключение каналов рекомбинации ввиду затягивания внутренним электрическим полем носителей в область с малой скоростью рекомбинации. Отмечено, что такой эффект приводит к улучшению ряда полезных в техническом отношении свойств полупроводников. На основании проведенных расчетов сделан вывод о влиянии затягивания носителей заряда на профиль их концентрации в тонких и толстых образцах.

1. Кузнецов В.А. Анализ фазовых диаграмм системы CdS-CdSe-СdTe // ФТП. 2010. Т. 44. № 9. С. 25−32.
2. Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Исследование спектров излучения и возбуждения фотолюминесценции варизонных полупроводников // ФТП. 1977. Т. 11. № 11. С. 2084−2088.
3. Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Фотолюминесцентные методы определения параметров варизонных полупроводников // ФТП. 1980. Т. 14. № 7. С. 1350−1354.
4. Пека Г.П., Токалин О.А., Дряпико Н.К. Катодолюминесценция варизонных полупроводников // ФТП. 1983. Т. 17. № 6. С. 1087−1092.
5. Бухаров Б.Э., Роках А.Г., Стецюра С.Б. Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы // ЖТФ. 2003. Т. 73. № 2. С. 93−98.
6. Шмаков С.Л. Расчетные аспекты оптимизации варизонных слоев по выходу люминесценции // ФТП. 1991. Т. 25. № 6. С. 1099−1103.
7. Роках А.Г., Трофимова Н.Б. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS-CdS // ЖТФ. 2001. Т. 71. № 7. С. 140−143.
8. Шик А.Я. Физика низкоразмерных систем. СПб.: Наука. 2001. 160 с.
9. Симашкевич А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений А2В6. Кишинев: Штиинца. 1980. 156 с.
10. Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Излучательная рекомбинация в тонких варизонных структурах // ФТП. 1978. Т. 12. № 7. С. 1421−1423.