350 руб
Журнал «Радиотехника» №9 за 2010 г.
Статья в номере:
Селективно-чувствительные МПМ-фотодетекторы ультрафиолетовой части спектра*
Ключевые слова: МПМ-фотодетектор солнечно-слепой фотодетектор гетероструктура темновой ток барьер Шоттки встречно-штыревые контакты спектральные характеристики
Авторы:
С.В. Аверин - д. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: sva278@ire216.msk.su П.И. Кузнецов - к. х. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: PIK218@ire216.msk.su В.А. Житов - ст. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: vaz215@ire216.msk.su Н.В. Алкеев - к. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: alkeev@ms.ire.rssi.ru В.М. Котов - к. ф.-м. н., вед. науч. сотрудник Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: vmk277@ire216.msk.su А.А. Дорофеев - руководитель отдела Федерального Государственного унитарного предприятия «Научно-производственное предприятие «Пульсар». E-mail: dorofeev@pulsarnpp.ru Н.Б. Гладышева - вед. специалист Федерального Государственного унитарного предприятия «Научно-производственное предприятие «Пульсар». E-mail: dorofeev@pulsarnpp.ru
Аннотация:
Описана технология гетероструктур AlN/AlGaN МПМ-детекторов ультрафиолетовой части спектра и представлены результаты экспериментальных исследований детекторов, обладающих низкими значениями темновых токов, а их спектральные характеристики демонстрируют возможность использования для селективно-чувствительного солнечно-слепого детектирования c максимумом чувствительности на длине волны 240 нм.
Страницы: 115-118
Список источников
  1. Бланк Т.Б., Гольдберг Ю.А. Полупроводниковые фотопреобразователи для ультрафиолетовой части спектра // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. № 9. С. 1025-1055.
  2. Ambacher O. Growth and applications of Group III-nitrides // Journal Physics D // Applied Physics. 1998. V. 31. No 20. P. 2653-2710.
  3. Аверин С.В., Гуляев Ю.В., Дмитриев М.Д., Потапов В.Т.,
    Сашо Р.     Быстродействующие фотодетекторы с большой площадью активной области на основе полупроводниковых структур с барьером Шоттки // Квантовая электроника. 1996. Т. 23. № 3. C. 284-286.
  4. Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Якущева Г.Г. Влияние буферного слоя на характеристики AlGaN детекторов ультрафиолетового излучения // 6-я Всероссийская конференция «Полупроводники 2005». Москва. Звенигород. 18-23 сентября 2005. С. 281.
  5. Yun F, Reshnikov M.A, He L., King T., et al. Energy band bowing parameter in Alx Ga1-xN alloys // Journal of Applied Physics. 2002. V. 92. No 8. P. 4837-4839.
  6. SeoIn.-S., Lee In.-H., Park Y.-J., Lee Ch.-R.Characteristics of UV photodetector fabricated by Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructure // Journal of Crystal Growth. 2003. V. 252. No 1-3. P. 51-57.
  7. Averin S.V., Chan Y.C., Lam Y.L.Evaluation of Schottky contact parameters in metal-semiconductor-metal photodiode structures // Applied Physics Letters. 2000. V. 77. No 2. P. 274-276.
  8. Su Y.K., Chang P.C., Chen C.H., et al. Nitride-based MSM UV photodetectors with photo-chemical annealing Schottky contacts // Solid-State Electronics. 2005. V. 49. No 3.
    P. 459-463.
  9. Averin S.V., Sachot R.Transit-time considerations in metal-semiconductor-metal photodiode under high illumination conditions // Solid State Electronics. 2000. V. 44. No 9. P. 1627-1634.