350 rub
Journal Radioengineering №9 for 2010 г.
Article in number:
Selectively-Sensitive Ultraviolet MSM-Photodetectors
Keywords: MSM-photodetector solar-blind photodetector heterostructure dark current Schottky barrier spectral response interdigitated contacts
Authors:
S.V. Averin, P.I. Kuznetzov, V.F. Zhitov, N.V. Alkeev, V.M. Kotov, A.A. Dorofeev, N.B. Gladisheva
Abstract:
Selectively-sensitive photodetectors are required for the elaboration of jamproof optical informational systems. Photodiode structures on the base of rectifying metal-semiconductor-metal contacts are most suitable for the development of these detectors. Technology of AlN/AlGaN heterostructures for selectively-sensitive ultraviolet MSM-detectors are described and the results of experimental investigations are presented. MSM-photodetectors have low dark currents while their spectral response demonstrates the ability of using for selectively-sensitive solar-blind detection with maximum sensitivity at 240 nm.
Pages: 115-118
References
  1. Бланк Т.Б., Гольдберг Ю.А. Полупроводниковые фотопреобразователи для ультрафиолетовой части спектра // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. № 9. С. 1025-1055.
  2. Ambacher O. Growth and applications of Group III-nitrides // Journal Physics D // Applied Physics. 1998. V. 31. No 20. P. 2653-2710.
  3. Аверин С.В., Гуляев Ю.В., Дмитриев М.Д., Потапов В.Т.,
    Сашо Р.     Быстродействующие фотодетекторы с большой площадью активной области на основе полупроводниковых структур с барьером Шоттки // Квантовая электроника. 1996. Т. 23. № 3. C. 284-286.
  4. Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Якущева Г.Г. Влияние буферного слоя на характеристики AlGaN детекторов ультрафиолетового излучения // 6-я Всероссийская конференция «Полупроводники 2005». Москва. Звенигород. 18-23 сентября 2005. С. 281.
  5. Yun F, Reshnikov M.A, He L., King T., et al. Energy band bowing parameter in Alx Ga1-xN alloys // Journal of Applied Physics. 2002. V. 92. No 8. P. 4837-4839.
  6. SeoIn.-S., Lee In.-H., Park Y.-J., Lee Ch.-R.Characteristics of UV photodetector fabricated by Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructure // Journal of Crystal Growth. 2003. V. 252. No 1-3. P. 51-57.
  7. Averin S.V., Chan Y.C., Lam Y.L.Evaluation of Schottky contact parameters in metal-semiconductor-metal photodiode structures // Applied Physics Letters. 2000. V. 77. No 2. P. 274-276.
  8. Su Y.K., Chang P.C., Chen C.H., et al. Nitride-based MSM UV photodetectors with photo-chemical annealing Schottky contacts // Solid-State Electronics. 2005. V. 49. No 3.
    P. 459-463.
  9. Averin S.V., Sachot R.Transit-time considerations in metal-semiconductor-metal photodiode under high illumination conditions // Solid State Electronics. 2000. V. 44. No 9. P. 1627-1634.