350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №1 за 2012 г.
Статья в номере:
Особенности процессов кристаллизации сегнетоэлектрика в многослойных наноразмерных гетероструктурах
Ключевые слова: ЦТС многослойные наноразмерные гетероструктуры диэлектрическая проницаемость микроструктура поляризация кристаллизация
Авторы:
К.А. Воротилов - д.т.н, профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: vorotilov@mirea.ru О.М. Жигалина - д.ф-м.н., профессор, Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН. Е-mail: zigal@nc.crys.ran.ru Ю.В. Подгорный - к.т.н, вед. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: podgsom_2004@mail.ru Д.С. Серегин - к.т.н,, мл. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: d_seregin@mirea.ru А.С. Сигов - академик РАН, профессор, ректор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: rector@mirea.ru
Аннотация:
Исследованы микроструктурные и электрофизические свойства тонких сегнетоэлектрических золь-гель пленок ЦТС (PbZr0,48Ti0,52O3), сформированных методом центрифугирования на подложках Pt/TiO2/SiO2/Si с температурой кристаллизации от 550-900 °С. Обсуждены особенности образования зёренной структуры ЦТС, диффузионные процессы, поляризационные свойства и вольт-фарадные характеристики многослойных наноразмерных гетероструктур, сформированных при различных температурах отжига слоя ЦТС.
Страницы: 3-14
Список источников
  1. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат. 2011.
  2. Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I., Turevskaya E.P., Sigov A.S. Sol-gel derived ferroelectric thin films: avenues for control of microstructural and electric properties // J. Sol-Gel Science and Technology. 1999. V. 16. P. 109-118.
  3. Zhigalina O.M., Burmistrova P.V., Vasiliev A.L., Roddatis V.V., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Microstructure of PZT capacitor structures // Ferroelectrics. 2003. V. 286. P. 311-320.
  4. Воротилов К.А., Котова Н.М., Сигов А.С., Жигалина О.М. Влияние метода синтеза пленкообразующего раствора на свойства пленок цирконата-титаната свинца // Известия вузов. Сер. Физика. 2008. № 11/2. С. 87-92.
  5. Подгорный Ю.В., Воротилов К.А. Особенности моделирования процесса переключения заряда в наноразмерных сегнетоэлектрических гетероструктурах // Наукоемкие технологии. 2011. Т. 12. № 7. С. 42-48.
  6. Aoki K., Fukuda Y., Numata K., Nishimura A. Ferroelectric properties of crystalline-oriented lead-zirconate-titanates formed by sol-gel deposition technique // Japan Journal of Applied Physics. 1995. V. 34. P. 746-751.
  7. SE 850 UV/VIS/NIR spectroscopic ellipsometer // Инструкция по эксплуатации. SENTECH Instruments GmbH. Германия. Берлин.
  8. Tagantsev A.K., Gerra G. Interface-induced phenomena in polarization response of ferroelectric thin films // Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 051607.
  9. Ferroelectric Random Access Memories / под ред. H. Ishi¬wara, M. Okuyama, Y. Arimoto // Berlin:Springer-Verlag. Topics Appl. Phys. 2004. V. 93.
  10. Подгорный Ю.В., Серегин Д.С., Воротилов К.А. Точные измерения диэлектрической проницаемости тонких изолирующих пленок на полупроводниковых подложках // Приборы. 2011. №7 (133). С. 30-39.
  11. Kobayashi T., Ichiki M., Tsaur J., Maeda R. Effect of multi-coating process on the orientation and microstructure of lead zirconate titanate (PZT) thin films derived by chemical solution deposition // Thin Solid Films. 2005. V. 489. P. 74-78.
  12. Park J.-H., Yoon S.H., Shen D., et al. Effects of preferred orientation on the piezoelectric properties of Pt/Pb(Zr0.3Ti0.7)O3/Pt thin films grown by sol-gel process // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2009. V. 20. P. 366-373.
  13. Chen S.-Y. Texture evolution and electrical properties of oriented PZT thin films // Materials Chemistry and Physics. 1996. V. 45. № 2. P. 159-162.
  14. Gong W., Li J.-F., Chu X., Gui Z., Li L. Preparation and characterization of sol-gel derived (100)-textured Pb(Zr,Ti)O3 thin films: PbO seeding role in the formation of preferential orientation // Acta Materialia. 2004. V. 52. P. 2787-2793.
  15. Alkoy E. M., Alkoy S., Shiosaki T. The effect of crystallographic orientation and solution aging on the electrical properties of sol-gel derived Pb(Zr0.45Ti0.55)O3 thin films // Ceramics International. 2007. V. 33. P. 1455-1462.
  16. Kim S.-H., Parka D.-Y., Woo H.-J., et al. Orientation effects in chemical solution derived Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 thin films on ferroelectric properties // Thin Solid Films. 2002. V. 416. P. 264-270.