350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №4 за 2020 г.
Статья в номере:
Исследование влияния топологии базового транзистора на статические характеристики с целью определения оптимальной конструкции транзистора в составе МИС для микроволновой радиотермометрии
DOI: 10.18127/j22250980-202004-04
УДК: 621.382
Авторы:

С.В. Чижиков¹, В.Г. Тихомиров², Г.А. Гудков³

  1. Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана 

  (Национальный исследовательский университет) (Москва, Россия) 

  1. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)   (Санкт-Петербург, Россия)
  2. ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)

1 chigikov95@mail.ru, 2 vv11111@yandex.ru, 3 ooo.giperion@gmail.com

Аннотация:

Постановка проблемы. Поскольку основные элементы конструкции приемника микроволнового радиотермометра, обеспечивающие технические и функциональные характеристики устройства, это – переключатель и малошумящий усилитель на основе pHEMT на гетероструктурах AlGaAs/GaAs, актуальной задачей является проведение исследования влияния топологии базового транзистора на статические характеристики с целью определения оптимальной конструкции транзистора в составе МИС для микроволновой радиотермометрии.

Цель работы – проведение исследования влияния топологии базового транзистора (pHEMT на гетероструктурах AlGaAs/GaAs) на статические характеристики с целью определения оптимальной конструкции транзистора в составе МИС для микроволновой радиотермометрии.

Результаты. Проведенное математическое моделирование позволило выявить зависимость влияния топологии базового транзистора (pHEMT на гетероструктурах AlGaAs/GaAs) на статические характеристики и определить оптимальную конструкцию транзистора в составе МИС для микроволновой радиотермометрии.

Практическая значимость. Проведенное математическое моделирование позволило определить оптимальную конструкцию транзистора (pHEMT на гетероструктурах AlGaAs/GaAs) в составе МИС для микроволновой радиотермометрии.

Страницы: 40-53
Список источников
  1. Гудков А.Г., Шашурин В.Д., Чижиков С.В. и др. Использование метода многоканальной микроволновой радиометрии для функциональной диагностики головного мозга // Медицинская техника. 2019. № 2 (314). С. 22–25.
  2. Седанкин М.К., Гудков А.Г., Леушин В.Ю., Веснин С.Г., Сидоров И.А., Чупина Д.Н., Агасиева С.В., Скуратов В.А., Чижиков С.В. Микроволновая радиометрия органов малого таза // Медицинская техника. 2019. № 4. С. 45–49.
  3. Vesnin S., Sedankin M., Ovchinnikov, Leushin V., Skuratov V., Nelin I., Konovalova A. Research of a microwave radiometer for monitoring of internal temperature of biological tissues. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. 2019. V. 4.  № 5 (100). P. 6–15.
  4. Леушин В.Ю., Шашурин В.Д., Чижиков С.В. и др. Результаты разработки экспериментального образца прибора для неинвазивной диагностики состояния головного мозга с использованием метода многоканальной микроволновой радиометрии // Нанотехнологии: разработка, применение – XXI век. 2019. Т. 11. № 1. С. 44–50.
  5. Гуляев Ю.В., Леушин В.Ю., Гудков А.Г., Щукин С.И., Веснин С.Г., Кубланов В.С., Порохов И.О., Седанкин М.К., Сидоров И.А. Приборы для диагностики патологических изменений в организме человека методами микроволновой радиометрии // Нанотехнологии: разработка, применение – XXI век. 2017. № 2. Т. 9. С. 27–45.
  6. Седанкин М.К., Леушин В.Ю., Гудков А.Г., Веснин С.Г., Хромов Д.А., Порохов И.О., Сидоров И.А., Агасиева С.В., Горлачева Е.Н. Моделирование собственного теплового излучения почки в микроволновом диапазоне // Медицинская техника. 2019.  № 1. С. 44–47.
  7. Gudkov A. The prospects of creating of microwave radiothermography based on monolithic integrated circuits. ITM Web of Conferences. 2019. № 30. 13001. P. 1–8.
  8. Гудков А.Г., Попов В.В., Чалых А.Е. и др. Научно-технические серии. Выпуск: Устройства СВЧ и антенные системы. Кн.2. Моделирование, проектирование и технологии СВЧ-устройств и ФАР: Коллективная монография / Под. ред. А.Ю. Гринева. М.: Радиотехника. 2014. 198 с.
  9. Гудков А.Г. Процесс разработки нового высокотехнологичного наукоемкого товара // Наукоемкие технологии. 2003. Т. 4. № 6. С. 69–83.
  10. Гудков А.Г. Комплексная технологическая оптимизация медицинской техники на всех этапах ее жизненного цикла // Биомедицинская радиоэлектроника. 2012. № 5. С. 51–61.
  11. Гудков А.Г. Радиоаппаратура в условиях рынка. Комплексная технологическая оптимизация. М.: «САЙНС-ПРЕСС». 2008. 336 с.
  12. Агасиева С.В., Гудков А.Г. и др. Повышение надёжности и качества ГИС и МИС СВЧ. Кн. 1 / Под ред. А.Г. Гудкова и  В.В. Попова. М.: ООО «Автотест». 2012. 212 с. 
  13. Агасиева С.В., Гудков А.Г. и др. Повышение надёжности и качества ГИС и МИС СВЧ. Кн. 2 / Под ред. А.Г. Гудкова и  В.В. Попова. М.: ООО «Автотест». 2013. 214 с.
  14. Агасиева С.В., Гудков А.Г., Тихомиров В.Г. и др. Повышение надёжности и качества ГИС и МИС СВЧ. Кн. 3 / Под ред.  В.Н. Вьюгинова, А.Г. Гудкова и В.В. Попова. М.: ООО НТП «Вираж-Центр». 2016. 252 с.
  15. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Королев А.В., Леушин В.Ю., Плющев В.А., Попов В.В., Сидоров И.А. Электронный модуль многоканального СВЧ-тракта для систем радиотермокартирования // Электромагнитные волны и электронные системы. 2014. № 1. С. 27–34.
  16. Агасиева С.В., Гудков А.Г., Королёв А.В., Леушин В.Ю., Плющев В.А., Сидоров И.А. Результаты разработки унифицированного приёмного модуля для многоканальных медицинских радиотермографов // 24-я Междунар. Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМи-Ко’2014). Севастополь, 7–13 сентября 2014 г.: Материалы конф. в 2 т. Севастополь: Вебер. 2014. Т. 2. С. 1045–1046. 
  17. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Королёв А.В., Леушин В.Ю., Плющев В.А., Попов В.В., Сидоров И.А. Электронный модуль многоканального СВЧ-тракта для систем радиотермокартирования // Электромагнитные волны и электронные системы. 2014. Т. 19. № 1. С. 27–34.
  18. Седанкин М. К. и др. Многоканальный микроволновый радиотермометр // Междунар. науч.-тех. конф. «Информатика и технологии. Инновационные технологии в промышленности и информатике. 2017. С. 348–350. 
  19. Гудков А.Г. Электронные устройства СВЧ. Кн.2 / Под ред. И.В. Лебедева. М.: Радиотехника. 2008. 400 с.
  20. Momenroodaki P., Popovic Z., Scheeler R. A 1.4-GHz Radiometer for Internal Body Temperature Measurements. Proceedings of the 45th European Microwave Conference. 2015. P. 694–697.
  21. Чижиков С.В., Соловьёв Ю.В. Элементная база МИС СВЧ для микроволновой радиотермометрии // Нанотехнологии: разработка, применение – XXI век. 2020. Т. 12. № 2. С. 48–57.
  22. БушминскийИ.П., Гудков А.Г., Дергачев В.Ф. и др. Конструкторско-технологические основы проектирования полосковых микросхем / Под. ред. И.П. Бушминского. М.: Радио и связь. 1987. 272 с.
  23. Вьюгинов В.Н., Грозина М.И., Гудков А.Г. и др. Монолитные интегральные устройства СВЧ // Электромагнитные волны и электронные системы. 2014. Т. 22. № 4. С. 45–59.
  24. Гудков А.Г. Методология комплексной технологической оптимизации параметров СВЧ-приборов на основе гетероструктур // Нанотехнологии: разработка, применение – XXI век. 2019. Т.11. № 2. С. 5–25.
  25. Александров Р.Ю. Монолитные интегральные схемы СВЧ: взгляд изнутри // Компоненты и технологии. 2006. № 9. С. 174–182.
  26. HSPICE Simulation and Analysis Manual, Synopsys. 2003. P. 694.
  27. Gudkov A.G., Tikhomirov V.G. et al. Evaluation of the influence mode on the CVC GaN HEMT using numerical modeling. Journal of Physics: Conference Series. 2016. V.741. Is. 1. Art. no. 012024 (3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SaintPetersburg OPEN 2016). DOI:10.1088/1742-6596/741/1/012024.
  28. Gudkov A.G., Chizhikov S.V., Agasieva S.V., Tikhomirov V.G., Dynaiev D.D., Popov M.K. Increasing efficiency of GaN HEMT transistors in equipment for radiometry using numerical simulation. Journal of Physics: Conference Series. 2019. V. 1410. № 012191. 
  29. TikhomirovV., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Ya., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V. Semiconductors. 2016. V. 50. № 2. P. 244–248.
Дата поступления: 2.10.2020 г.