Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову heterostructures
Латеральная проводимость в двуслойных молекулярных гетероструктурах на основе фталоцианинов
Е.С. Леонов - к.х.н., заведующий лабораторией, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. E-mail: e_ieonov@inbox.ru А.П. Лучников - ст. научн. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). E-mail: fisika@mail.ru Г.Л. Пахомов - к.х.н., Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород. E-mail: pakhomov@ipm.sci-nnov.ru В.В. Травкин - аспирант, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. E-mail: vladtt@mail.ru
Лазерно индуцированная люминесценция в гетероструктурах на основе органических полупроводников и наночастиц CdSe и CdSe/ZnS
С.В. Дайнеко - мл. научный сотрудник, Институт физической химии и электрохимии РАН (Москва). Е-mail: s.daineko@gmail.com К.В. Захарченко - научный сотрудник, Московский инженерно-физический институт (государственный университет) В.И. Золотаревский - научный сотрудник, Институт физической химии и электрохимии РАН (Москва) К.Е. Мочалов - научный сотрудник, Институт биоорганической химии РАН (Москва) В.А. Олейников - научный сотрудник, Институт биоорганической химии РАН (Москва) М.Г. Тедорадзе - к.х.н., Институт физической химии и электрохимии РАН (Москва). Е-mail: vanlab@glas.apc.org А.Р. Тамеев - научный сотрудник, Институт физической химии и электрохимии РАН (Москва) А.В. Чистолинов - Московский инженерно-физический институт (государственный университет) А.А. Чистяков - д.ф.-м.н., ст. научн. сотрудник, Московский инженерно-физический институт (государственный университет). Е-mail: chistaa@mail.ru
Токовые неустойчивости в резонансно-туннельных диодах
В.Г. Попов - к.ф.-м.н., зам. зав. кафедрой физики и технологии наноэлектроники МФТИ, научн. сотрудник ИПТМ и ОЧМ РАН. E-mail: Popov@iptm-hpm.ac.ru
Термокристаллизация структуры наноразмерных плёнок субфталоцианина хлорида бора
В.В. ТРАВКИН - аспирант, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. Е-mail: vladtt@mail.ru Г.Л. ПАХОМОВ - к.х.н., Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). Е-mail: pakhomov@ipm.sci-nnov.ru Т.А. СОРОКИНА - магистр, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского П.А. ЛУЧНИКОВ - Зав. лабораторией, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: fisika@mail.ru
Исследование динамики распада сверхпроводящего состояния оксидных структур
К.Е. Лахманский - студент, МФТИ (ГУ) Г.А. Овсяников - д. ф.-м. н., зав. лабораторией ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН К.И. Константинян - к. ф.-м. н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН E-mail: mipt@list.ru
Особенности процессов кристаллизации сегнетоэлектрика в многослойных наноразмерных гетероструктурах
К.А. Воротилов - д.т.н, профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: vorotilov@mirea.ru О.М. Жигалина - д.ф-м.н., профессор, Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН. Е-mail: zigal@nc.crys.ran.ru Ю.В. Подгорный - к.т.н, вед. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: podgsom_2004@mail.ru Д.С. Серегин - к.т.н,, мл. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: d_seregin@mirea.ru А.С. Сигов - академик РАН, профессор, ректор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: rector@mirea.ru
Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru
Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «Пульсар»
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор по инновационному развитию, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар». e-mail: makarov.pulsar@gmail.com М.В. Пашков - инженер-технолог, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: michaelpashkov@yandex.ru Р.И. Тычкин - зам. гл. инженера, ОАО «ГЗ «Пульсар»
Полупроводниковый свет
В.А. Буробин - к.т.н., генеральный директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru, openline@gz-pulsar.ru Н.Н. Соловьев - к.ф.-м.н., доцент, МГТУ МИРЭА А.А. Щука - д.т.н.; профессор, МГТУ МИРЭА. E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Перспективы использования кубического нитрида бора при создании электронных приборов
О.Р. Абдуллаев - к.т.н., директор по науке и производству; ОАО «Оптрон». E-mail: abd@optron.ru А.С. Якунин - директор Департамента pадиоэлектронной промышленности, Министерство промышленности и торговли РФ
Метастабильность спинового переноса в слоистых наногетероструктурах с динамически суперсимметричными состояниями
Л.И. Гурский - член-корр., д.т.н., профессор, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск) Г.В. Крылова - к.ф.-м.н., вед. научн. сотрудник, Белорусский государственный университет
Современное состояние и перспективы развития СВЧ-приборов и устройств в ОАО «Светлана»
В. В. Попов - к.т.н., ген. директор, ОАО «Светлана», Санкт-Петербург
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - начальник СКБ ШЗП, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - начальник СКБ "РПИ ГП", ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: anvo@yandex.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.М. Коновалов - начальник СКБ ШЗП, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: kb-it@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения
В.А. Буробин - к.т.н., ген. директор, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: burobin@gz-pulsar.ru А.Ю. Волошин - начальник СКБ \"РПИ ГП\", ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: anvo@yandex.ru Н.И. Каргин - д.т.н., профессор, проректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». E-mail: krgn@ya.ru А.А. Макаров - вед. специалист, ОАО «ГЗ «Пульсар». E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru А.А. Щука - д.т.н.; профессор, Московский физико-технический институт (государственный университет). E-mail: shchuka@mail.mipt.ru
О.В. Лосев и пути развития русской микроэлектроники в XXI в
С.А. Гилёв - вед. инженер, Музей науки «Нижегородская радиолаборатория» ННГУ им. Н.И. Лобачевского (Национальный исследовательский университет) (г. Нижний Новгород). E-mail: serangil-nrl@yandex.ru М.А. Новиков - к.ф.-м.н., вед. науч. сотрудник, Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород). E-mail: mnovik@ipm.sci-nnov.ru А.А. Потапов - д.ф.-м.н., профессор, гл. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН; Президент совместной китайско-российской лаборатории информационных технологий и фрактальной обработки сигналов (Китай, Гуанджоу). E-mail: potapov@cplire.ru А.Э. Рассадин - координатор объединенных научно-образовательных программ НРО НТОРЭС им. А.С. Попова (г. Нижний Новгород). E-mail: brat_ras@list.ru
Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов коммуникационных систем
А.А. Арендаренко - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: arendarenko.pulsar@mail.ru В.Н. Данилин - ст. науч. сотрудник, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: danilin.pulsar@mail.ru А.А. Макаров - вед. специалист, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: a.makarov@gz-pulsar.ru Р.И. Тычкин - начальник НИЦИТ, АО «ГЗ «Пульсар» (Москва). E-mail: kb-it@mail.ru
Методика и аппаратура для измерения низкочастотного шума
В.Н. Вьюгинов - к.ф.-м.н., директор, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: vyuginov@svetlana-ep.ru А.Г. Гудков - д.т.н., профессор, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: profgudkov@gmail.com В.А. Добров - начальник отдела, ЗАО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург). E-mail: dobrov@svetlana-ep.ru Т.Ю. Кудряшова - ст. преподаватель, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru А.В. Мещеряков - к.т.н., доцент, кафедра «Радиотехнические и телекоммуникационные системы», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: vttania@list.ru В.Г. Усыченко - д.ф.-м.н., профессор, кафедра «Радиоэлектронные средства защиты информации», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. E-mail: usychenko@rphf.spbstu.ru В.Д. Шашурин - д.т.н., профессор, зав. кафедрой «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: schashurin@bmstu.ru С.И. Видякин - аспирант, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: bmsturl@gmail.com С.В. Чижиков - ассистент, кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана. E-mail: chigikov95@mail.ru
Результаты российско-белорусского научно-технического сотрудничества по созданию новых типов наногетероструктур
В.В. Попов - к.т.н., президент ПАО «Светлана» (Москва) В.М. Устинов - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) В.П. Чалый - к.ф.-м.н., директор АО «Светлана - Рост» Д.М. Красовицкий - к.х.н., главный конструктор, АО «Светлана - Рост» И.С. Тарасов - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) В.А. Клевцов - к.т.н., зам. ген. директора по научно-техническому развитию, ПАО «Светлана» (Москва) С.А. Калинин - начальник отдела научно-технического развития, ПАО «Светлана» (Москва) Ю.П. Яковлев - д.ф.-м.н, гл. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) Н.А. Малеев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) С.В. Иванов - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН E-mail: post@mail.ioffe.ru
Магнитосопротивление в гетероструктуре манганит/интерметаллид
А.С. Гришин - студент, Московский технологический университет (МИРЭА); инженер, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) E-mail: alex1995@hitech.cplire.ru А.А. Климов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва); доцент, Московский технологический университет (МИРЭА) Г.А. Овсянников - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) А.М. Петржик - к.ф-м.н., науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) В.Л. Преображенский - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН (Москва) N. Tiercelin - Ph.D., Senior Research Scientist, International Associated Laboratory LEMAC-LICS: IEMN, UMR CNRS, PRES Lille Nord de France, ECLille, Villeneuve d\'Ascq, France P. Pernod - Ph.D,. Professor, Head of Laboratory, International Associated Laboratory LEMAC-LICS: IEMN, UMR CNRS, PRES Lille Nord de France, ECLille, Villeneuve d\'Ascq, France
Элементная база МИС СВЧ для микроволновой радиотермометрии

С.В. Чижиков – аспирант,  кафедра «Технологии приборостроения», МГТУ им. Н.Э. Баумана 

(Национальный исследовательский университет)

E-mail: chigikov95@mail.ru

Ю.В. Соловьёв – к.т.н., зам. директора по полупроводниковому направлению,  АО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург);  ст. науч. сотрудник, НИИ РЛ МГТУ им. Н.Э. Баумана

E-mail: solovev@svetlana-ep.ru

Исследование влияния топологии базового транзистора на статические характеристики с целью определения оптимальной конструкции транзистора в составе МИС для микроволновой радиотермометрии

С.В. Чижиков¹, В.Г. Тихомиров², Г.А. Гудков³

  1. Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана 

  (Национальный исследовательский университет) (Москва, Россия) 

  1. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)   (Санкт-Петербург, Россия)
  2. ООО «НПИ ФИРМА «ГИПЕРИОН» (Москва, Россия)

1 chigikov95@mail.ru, 2 vv11111@yandex.ru, 3 ooo.giperion@gmail.com

Моделирование прозрачности низкоразмерного канала с квантовым ограничением в полупроводниковых приборах на 2D-структурах с поперечным токопереносом

Н.А. Ветрова¹, А.А. Филяев², В.Д. Шашурин³

1, 2, 3 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия),     1 vetrova@bmstu.ru; 2 alex.filyaev.98@gmail.com; 3 schashurin@bmstu.ru

Исследование влияния легирования буферного слоя GaN углеродом на эффект лавинного пробоя нормально открытых HEMT AlGaN/AlN/GaN-транзисторов

Тхан Пьо Чжо

Институт квантовой физики и наноэлектроники Национального исследовательского университета «МИЭТ»  (Москва, Россия) 

Персептронная сеть прогнозирования электрических характеристик резонансно-туннельного диода

Н.А. Ветрова1, К.П. Пчелинцев2, В.Д. Шашурин3  

1–3 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

Топологически-ориентированный подход к выбору метода моделирования прозрачности гетероструктурных каналов наноэлектронных приборов

В.Д. Шашурин1, Н.А. Ветрова2, Е.В. Куимов3, К.П. Пчелинцев4, А.С. Александров5

1,3–5 МГТУ им. Н.Э. Баумана (Москва, Россия)

2 Российский Университет Дружбы Народов (Москва, Россия)

 

Новые вертикальные гетероструктуры на основе монослоев полупроводниковых 2D-материалов: атомное и электронное строение

О.Е. Глухова – д.ф.-м.н., профессор, зав. кафедрой радиотехники и электродинамики,

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского E-mail: glukhovaoe@info.sgu.ru

М.М. Слепченков – к.ф.-м.н., доцент,  кафедра радиотехники и электродинамики,

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского E-mail: slepchenkovm@mail.ru

Д.А. Колосов – аспирант, мл. науч. сотрудник, кафедра радиотехники и электродинамики, 

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского E-mail: demkol.93@mail.ru

Моделирование приборных структур наноэлектроники на основе 2D-материалов

И.И. Абрамов1, Н.В. Коломейцева2, В.А. Лабунов3, И.А. Романова4, И.Ю. Щербакова5

1–5 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск, Республика Беларусь)