350 руб
Журнал «Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век» №4 за 2016 г.
Статья в номере:
Результаты российско-белорусского научно-технического сотрудничества по созданию новых типов наногетероструктур
Ключевые слова: гетероструктуры микроэлектроника СВЧ-электроника
Авторы:
В.В. Попов - к.т.н., президент ПАО «Светлана» (Москва) В.М. Устинов - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) В.П. Чалый - к.ф.-м.н., директор АО «Светлана - Рост» Д.М. Красовицкий - к.х.н., главный конструктор, АО «Светлана - Рост» И.С. Тарасов - д.ф.-м.н., зав. лабораторией, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) В.А. Клевцов - к.т.н., зам. ген. директора по научно-техническому развитию, ПАО «Светлана» (Москва) С.А. Калинин - начальник отдела научно-технического развития, ПАО «Светлана» (Москва) Ю.П. Яковлев - д.ф.-м.н, гл. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) Н.А. Малеев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Москва) С.В. Иванов - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН E-mail: post@mail.ioffe.ru
Аннотация:
Изложены результаты комплексной программы по разработке конструкций и технологий изготовления гетероструктур различного назначения и приборов на их основе.
Страницы: 3-11
Список источников

 

  1. Алфёров Ж.И. Нобелевская лекция, прочитанная 8.12.2000 в Стокгольме: перевод с англ. // УФН. 2002. Т. 172. № 9.  С. 1072-1086.
  2. Устинов В.М., А.Ю. Егоров, Жуков А.Е. и др. Модулированно-легированные гетероструктуры для малошумящих СВЧ-транзисторов, созданные методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Микроэлектроника. 1994. Т. 23. Вып. 4. С. 13-18.
  3. Земляков В.Е., Красник В.А., Васильев В.И. и др. Гетероструктурные полевые транзисторы миллиметрового диапазона длин волн ФГУП НПП «Исток» // 15 Int. Conf. «Microwave and Telecommunication Technology» (CriMiCo`2005). Sevastopol. 12-16 Sept. 2005.
  4. Гусенкова А.В., Малеев Н.А., Михрин В.С. и др. Технология селективного химического травления для изготовления AlGaAs/InGaAs p HEMT транзисторов // 12th Intern. Conf. «Microwave and Telecommunication Technology» (CriMiCo`2005). Sevastopol. 12-16 Sept. 2005.
  5. Бобыль А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н. и др. Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния гамма-излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs // ФТП. 2006. № 40. С. 707-710.
  6. Малеев Н.А., Устинов В.М., Земляков В.Е. Полупроводниковые наногетероструктуры для СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем // Тезисы докл. конф. «Нанотехнологии - производству-2007». Фрязино. 28-30 ноября 2007. 98 с.
  7. Барсегян А., Кояма Д., Уокер Дж., Тангем В. Особенности применения мощных GAN СВЧ-транзисторов в авионике и радарных системах // СВЧ Электроника. Приложение к журналу «Электронные компоненты» / Под ред. А. Майстренко. 2016. № 1. С. 16-20.
  8. Балакриев А., Туркин А. СВЧ-Компоненты Wolfspeed на основе GAN/SIC // СВЧ Электроника. Приложение к журналу «Электронные компоненты» / Под ред. А. Майстренко. 2016. № 1. С. 22-25.
  9. Тарасов С., Дикарев В., Цоцорин А. Мощные GAN СВЧ-транзисторы для применения в перспективных системах связи и радиолокации // СВЧ Электроника. Приложение к журналу «Электронные компоненты» / Под ред. А. Майстренко. 2016. № 1. С. 26-29.
  10. Подгорбунский А., Мишуров С. Опыт применения GAN-транзисторов L-диапазона от Microsemi // СВЧ Электроника. Приложение к журналу «Электронные компоненты» / Под ред. А. Майстренко. 2016. № 1. С. 30-34.
  11. Коул Т. Использование GAN-технологии для коммерческих рынков // СВЧ Электроника. Приложение к журналу «Электронные компоненты»: пер. В. Рентюка / Под ред. А. Майстренко. 2016. № 1. С. 64-65.