Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову ferroelectric
Проходной фазовращатель на основе сегнетоэлектрических управляющих элементов для работы в составе фазированной антенной решетки
М.Д. Парнес - к.т.н., гл. инженер ООО «Резонанс» (Санкт-Петербург) О.Г. Вендик - д.т.н., проф. кафедры СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург) А.Н. Васильев - аспирант кафедры СПбГЭТУ «ЛЭТИ» П.В. Логачев - нач. лаборатории НПО «ЛЭМЗ» (Москва) Р.Г. Шифман - зам. директора ОАО «Светлана-электронприбор» (Санкт-Петербург)
Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). E-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, зав. кафедрой, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет) А.А. Романов - начальник отделения, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл. П.Р. Машевич - к.т.н., зам. генерального директора, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл.
Особенности моделирования процесса переключения заряда в наноразмерных сегнетоэлектрических гетероструктурах
Ю. В. ПОДГОРНЫЙ - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К. А. ВОРОТИЛОВ - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru
Особенности моделирования процесса переключения заряда в наноразмерных сегнетоэлектрических гетероструктурах
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики. (технический университет). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru
Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии
М.С. Афанасьев - к.т.н, ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Е-mail: michaela2005@yandex.ru В.К. Егоров - к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, Институт проблем технологии микроэлектроники РАН (г. Черноголовка). Е-mail: egorov@ipmt-hpm.ac.ru Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Е-mail: g_chucheva@mail.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, Московский государственный технический университет МИРЭА. Е-mail: xdeltax@mail.ru А.В. Буров - инженер, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Е-mail: byrov143@yandex.ru
Образование регулярных доменных структур при воздействии упругих волн на поверхность сегнетоэлектрик
В.В. Крутов - к. т. н., доцент, МИРЭА. E-mail: v_krutov@mirea.ru
Особенности технологической совместимости формирования слоистых гетероструктур на основе углеродных и перовскитных пленок
М.С. Афанасьев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.). Е-mail: michaela2005@yandex.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, ст. науч. сотрудник, «НИИ «Информатика» МГТУ МИРЭА. Е-mail: fisika@mail.ru А.Ю. Митягин - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, профессор, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.). Е-mail: g_chucheva@mail.ru А.А. Назаренко - аспирант, МГТУ МИРЭА. Е-mail: alexandrnazarenco@gmail.com Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.). Е-mail: g_chucheva@mail.ru
Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). E-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, зав. кафедрой, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). А.А. Романов - начальник отделения, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл. П.Р. Машевич - к.т.н., зам. генерального директора, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл.
Технологический контроль элементного состава перовскитного слоя планарной наноструктуры, формируемой в ВЧ-плазме
М.С. Афанасьев - к.т.н, ст. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: michaela2005@yandex.ru А.В. Буров - инженер, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: byrov143@yandex.ru В.К. Егоров - к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, ИПТМ РАН. E-mail: egorov@ipmt-hpm.ac.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, МГТУ МИРЭА. E-mail: fisika@mail.ru Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: g_chucheva@mail.ru
Щелевая линия на основе нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок
И.Г. Мироненко - д.т.н., профессор, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) А.А. Иванов - к.т.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) А.А. Семенов - к.т.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Д.В. Велькин - инженер, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Технологический контроль элементного состава перовскитного слоя планарной наноструктуры, формируемой в ВЧ-плазме
М.С. Афанасьев - к.т.н, ст. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: michaela2005@yandex.ru А.В. Буров - инженер, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: byrov143@yandex.ru В.К. Егоров - к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, ИПТМ РАН. E-mail: egorov@ipmt-hpm.ac.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, МГТУ МИРЭА. E-mail: fisika@mail.ru Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: g_chucheva@mail.ru
Особенности дефектообразования в нестехиометрических наноразмерных пленках ЦТС при их формировании золь-гель методом
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: vorotilov@mirea.ru Н.В. Мухин - к.т.н., ассистент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Е-mail: muhinnv_leti@mail.ru
Особенности получения сегнетоэлектрических нано- и микроструктур на основе ЦТС методом фемтосекундного лазерного отжига
А.С. Елшин - стажер-исследователь, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: elshin_andrew@mail.ru Н.Ю. Фирсова - стажер-исследователь, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: natfirsova@gmail.com Е.Д. Мишина - д.ф.-м.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: mishina_elena57@mail.ru О.М. Жигалина - стажер-исследователь, Институт кристаллографии РАН им. А.В. Шубникова. E-mail: zhigal@ns.crys.ras.ru Д.А. Абдуллаев - стажер-исследователь, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики Д.А. Киселёв - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, НИТУ «МИСиС» (Москва)
Нелинейно-оптическая и электронная микроскопия сегнетоэлектрических микроструктур кристаллизованных фемтосекундным лазерным излучением
А.С. Елшин - стажер-исследователь, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: elshin_andrew@mail.ru Н.Ю. Фирсова - стажер-исследователь, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: natfirsova@gmail.com О.М. Жигалина - стажер-исследователь, Институт кристаллографии РАН им. А.В. Шубникова. E-mail: zhigal@ns.crys.ras.ru Е.Д. Мишина - д.ф.-м.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: mishina_elena57@mail.ru
Критические явления в реальных сегнетоэлектрических кристаллах: теория и эксперимент
Б А. Струков - д.ф-м.н., профессор, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова. Е-mail: bstrukov@mail.ru И.В. Шнайдштейн - к.ф-м.н., доцент, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова. Е-mail: shnaidshtein@mail.ru
Фононная спектроскопия сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом в области гелиевых температур
Е.Н. Хазанов - д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). E-mail: khazanov@cplire.ru А.В. Таранов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). E-mail: taranov@cplire.ru
Фононная спектроскопия сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом в области гелиевых температур
Е.Н. Хазанов - д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) E-mail: khazanov@cplire.ru А.В. Таранов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) E-mail: taranov@cplire.ru
Влияние тока утечки и релаксационных потерь на определение параметров гистерезиса сегнетоэлектрических наноструктур
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К.А. Воротилов - д.т.н., директор НОЦ «Технологический центр», Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - д.ф-м.н., профессор, академик РАН, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: sigov@mirea.ru П.П. Лавров - аспирант, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru
Метод формирования тонких пленок с заданным стехиометрическим распределением состава по толщине

А.Е. Комлев1, В.А. Вольпяс2, Р.А. Платонов3, А.Г. Алтынников4, А.Б. Козырев5

1–5 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург, Россия)
 

Измерение свойств объемных сегнетоэлектриков в миллиметровом диапазоне с использованием диэлектрического волновода

Л.А. Близнюк1, Е.С. Максимович2, Н.В. Любецкий3, Т.П. Петроченко4, В.И. Каско5

1,3–5 ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению» (г. Минск, Республика Беларусь)
2,3 Белорусский государственный университет (г. Минск, Республика Беларусь)
2 ГНУ «Институт прикладной физики Национальной академии наук Беларуси» (г. Минск, Республика Беларусь)
1 tanya-petr@physics.by

Исследование элементов хранения на основе сегнетоэлектрика для производства энергонезависимой памяти (FeRAM)

И.В. Орехова1, А.Ю. Азов2, Г.В. Тимофеева3, С.Д. Серов4, И.В. Баранова5, А.В. Плотнов6

1–6 ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» (г. Саров, Россия)
1 ivstepanova@vniief.ru, 2 aazov@niiis.nnov.ru, 3 gtimofeeva@niiis.nnov.ru, 4 sdserov@vniief.ru, 5 petreeva@mail.ru, 6 aplotnov@niiis.nnov.ru