Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову ferroelectric
Проходной фазовращатель на основе сегнетоэлектрических управляющих элементов для работы в составе фазированной антенной решетки
М.Д. Парнес - к.т.н., гл. инженер ООО «Резонанс» (Санкт-Петербург) О.Г. Вендик - д.т.н., проф. кафедры СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург) А.Н. Васильев - аспирант кафедры СПбГЭТУ «ЛЭТИ» П.В. Логачев - нач. лаборатории НПО «ЛЭМЗ» (Москва) Р.Г. Шифман - зам. директора ОАО «Светлана-электронприбор» (Санкт-Петербург)
Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). E-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, зав. кафедрой, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет) А.А. Романов - начальник отделения, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл. П.Р. Машевич - к.т.н., зам. генерального директора, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл.
Особенности моделирования процесса переключения заряда в наноразмерных сегнетоэлектрических гетероструктурах
Ю. В. ПОДГОРНЫЙ - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К. А. ВОРОТИЛОВ - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru
Особенности моделирования процесса переключения заряда в наноразмерных сегнетоэлектрических гетероструктурах
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики. (технический университет). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru
Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии
М.С. Афанасьев - к.т.н, ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Е-mail: michaela2005@yandex.ru В.К. Егоров - к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, Институт проблем технологии микроэлектроники РАН (г. Черноголовка). Е-mail: egorov@ipmt-hpm.ac.ru Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Е-mail: g_chucheva@mail.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, Московский государственный технический университет МИРЭА. Е-mail: xdeltax@mail.ru А.В. Буров - инженер, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Е-mail: byrov143@yandex.ru
Образование регулярных доменных структур при воздействии упругих волн на поверхность сегнетоэлектрик
В.В. Крутов - к. т. н., доцент, МИРЭА. E-mail: v_krutov@mirea.ru
Особенности технологической совместимости формирования слоистых гетероструктур на основе углеродных и перовскитных пленок
М.С. Афанасьев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.). Е-mail: michaela2005@yandex.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, ст. науч. сотрудник, «НИИ «Информатика» МГТУ МИРЭА. Е-mail: fisika@mail.ru А.Ю. Митягин - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, профессор, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.). Е-mail: g_chucheva@mail.ru А.А. Назаренко - аспирант, МГТУ МИРЭА. Е-mail: alexandrnazarenco@gmail.com Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.). Е-mail: g_chucheva@mail.ru
Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). E-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, зав. кафедрой, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). А.А. Романов - начальник отделения, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл. П.Р. Машевич - к.т.н., зам. генерального директора, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл.
Технологический контроль элементного состава перовскитного слоя планарной наноструктуры, формируемой в ВЧ-плазме
М.С. Афанасьев - к.т.н, ст. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: michaela2005@yandex.ru А.В. Буров - инженер, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: byrov143@yandex.ru В.К. Егоров - к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, ИПТМ РАН. E-mail: egorov@ipmt-hpm.ac.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, МГТУ МИРЭА. E-mail: fisika@mail.ru Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: g_chucheva@mail.ru
Щелевая линия на основе нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок
И.Г. Мироненко - д.т.н., профессор, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) А.А. Иванов - к.т.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) А.А. Семенов - к.т.н., доцент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Д.В. Велькин - инженер, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Технологический контроль элементного состава перовскитного слоя планарной наноструктуры, формируемой в ВЧ-плазме
М.С. Афанасьев - к.т.н, ст. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: michaela2005@yandex.ru А.В. Буров - инженер, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: byrov143@yandex.ru В.К. Егоров - к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, ИПТМ РАН. E-mail: egorov@ipmt-hpm.ac.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, МГТУ МИРЭА. E-mail: fisika@mail.ru Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: g_chucheva@mail.ru
Особенности дефектообразования в нестехиометрических наноразмерных пленках ЦТС при их формировании золь-гель методом
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: vorotilov@mirea.ru Н.В. Мухин - к.т.н., ассистент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Е-mail: muhinnv_leti@mail.ru
Особенности получения сегнетоэлектрических нано- и микроструктур на основе ЦТС методом фемтосекундного лазерного отжига
А.С. Елшин - стажер-исследователь, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: elshin_andrew@mail.ru Н.Ю. Фирсова - стажер-исследователь, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: natfirsova@gmail.com Е.Д. Мишина - д.ф.-м.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: mishina_elena57@mail.ru О.М. Жигалина - стажер-исследователь, Институт кристаллографии РАН им. А.В. Шубникова. E-mail: zhigal@ns.crys.ras.ru Д.А. Абдуллаев - стажер-исследователь, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики Д.А. Киселёв - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, НИТУ «МИСиС» (Москва)
Нелинейно-оптическая и электронная микроскопия сегнетоэлектрических микроструктур кристаллизованных фемтосекундным лазерным излучением
А.С. Елшин - стажер-исследователь, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: elshin_andrew@mail.ru Н.Ю. Фирсова - стажер-исследователь, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: natfirsova@gmail.com О.М. Жигалина - стажер-исследователь, Институт кристаллографии РАН им. А.В. Шубникова. E-mail: zhigal@ns.crys.ras.ru Е.Д. Мишина - д.ф.-м.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: mishina_elena57@mail.ru
Критические явления в реальных сегнетоэлектрических кристаллах: теория и эксперимент
Б А. Струков - д.ф-м.н., профессор, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова. Е-mail: bstrukov@mail.ru И.В. Шнайдштейн - к.ф-м.н., доцент, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова. Е-mail: shnaidshtein@mail.ru
Фононная спектроскопия сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом в области гелиевых температур
Е.Н. Хазанов - д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). E-mail: khazanov@cplire.ru А.В. Таранов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). E-mail: taranov@cplire.ru
Фононная спектроскопия сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом в области гелиевых температур
Е.Н. Хазанов - д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) E-mail: khazanov@cplire.ru А.В. Таранов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) E-mail: taranov@cplire.ru
Влияние тока утечки и релаксационных потерь на определение параметров гистерезиса сегнетоэлектрических наноструктур
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К.А. Воротилов - д.т.н., директор НОЦ «Технологический центр», Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - д.ф-м.н., профессор, академик РАН, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: sigov@mirea.ru П.П. Лавров - аспирант, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru
Метод формирования тонких пленок с заданным стехиометрическим распределением состава по толщине

А.Е. Комлев1, В.А. Вольпяс2, Р.А. Платонов3, А.Г. Алтынников4, А.Б. Козырев5

1–5 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург, Россия)