350 руб
Журнал «Радиотехника» №10 за 2009 г.
Статья в номере:
Проходной фазовращатель на основе сегнетоэлектрических управляющих элементов для работы в составе фазированной антенной решетки
Авторы:
М.Д. Парнес - к.т.н., гл. инженер ООО «Резонанс» (Санкт-Петербург) О.Г. Вендик - д.т.н., проф. кафедры СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург) А.Н. Васильев - аспирант кафедры СПбГЭТУ «ЛЭТИ» П.В. Логачев - нач. лаборатории НПО «ЛЭМЗ» (Москва) Р.Г. Шифман - зам. директора ОАО «Светлана-электронприбор» (Санкт-Петербург)
Аннотация:
Изложены результаты разработки и экспериментального исследования фазовращателя на основе сегнетоэлектрических управляющих элементов для работы в составе фазированной антенной решетки.
Страницы: 128-133
Список источников
  1. Вендик О.Г., Парнес М.Д. Антенны с электрическим сканированием (Введение в теорию) / под ред. Л. Бахраха. М.: Сайнс-Пресс. 2002. С. 232.
  2. nGimat Co. A Low Cost Analog Phase Shifter Product Family for Military, Commercial and Public Safety Applications // Microwave Journal. 2006. V. 49. N. 3. March. P. 152-153.
  3. Вендик О.Г.Сегнетоэлектрики находят свою «нишу» среди управляющих устройств СВЧ // ФТТ. 2009. Т. 51. В. 7. С. 1441-1445.
  4. Sherman V., Astafiev K., Setter N., Tagantsev A., Vendik O., Vendik I., Hoffmann-Eifert S., Waser R. Digital reflection-type phase shifter based on a ferroelectric planar capacitor // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2001. V. 11. N. 10.
    Oct. P. 407-409.
  5. Vendik O.G. Insertion Loss in Reflection-Type Microwave Phase Shifter Based on Ferroelectric Tunable Capacitor // IEEE Trans. MTT, 2007. V. 55, N. 2. February. P. 425 - 429.
  6. Вендик И.Б., Вендик О.Г., Парнес М.Д., Шифман Р.Г. Фазовращатель для отражательной антенной решетки // Электромагнитные волны и электронные системы. 2006. Т. 11. № 12. С. 63-69.
  7. Вендик О.Г., Зубко С.П. Феноменологическое описание зависимости диэлектрической проницаемости титаната стронция от приложенного электрического поля и температуры // ЖТФ. 1997. Т. 67. В. 3. С. 29-33.
  8. Вендик О.Г., Зубко С.П., Никольский М.А. Моделирование и расчёт ёмкости планарного конденсатора, содержащего тонкий сегнетоэлектрический слой // ЖТФ. 1999. Т. 69. В. 4, С. 1-7.
  9. Gevorgian S.S., Martinsson T., Linnér P.L.J., Kollberg E.L. CAD Models for Multilayered Substrate Interdigital Capacitors // IEEETrans. onMTT. 1996. V. 44. N. 6. June. P. 896 - 905.
  10. Зубко С.П., Курбатов А.Х. Обеспечение устойчивой работы сверхвысокочастотных сегнетоэлектрических устройств в широком температурном диапазоне // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 17. С. 55-62.
  11. Козырев А.Б., Солдатенков О.И., Иванов А.В. Время переключения планарных сегнетоэлектрических конденсаторов на основе пленок титаната стронция и титаната бария-стронция // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 19.С. 19-25.
  12. Vendik O.G., Zubko S.P., Nikol-ski M.A. Microwave loss-factor of BaxSr1-xTiO3 as a function of temperature, biasing field, barium concentration, and frequency // Journal of Applied Physics. 2002. V. 92. N. 12. Dec.P. 7448-7452.
  13. Tagantsev A.K., Shtrman V.O., Astaviev K.F., Venkatash J., Setter N. Ferroelectric Materials for Microwave Tunable Applications // Journal of Electroceramics. 2003. V. 11.P. 5-66.
  14. Ji-Won Choi, Yong-Yoon Ha, Chong Yun Kang et al. Low loss dielectric thin films for tunable devices // Proc. of 4th International Conference on MMA, 12-15 June 2006, Oulu, Finland.
  15. Cole M. W.,Ngo E., Hirsch S., Okatan M. B., Alpay S.P. Dielectric properties of MgO-doped compositionally graded multilayer barium strontium titanate films //Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 072906 (1-3).
  16. Вендик О.Г., Никольский М.А., Гашинова М.С. Потери на СВЧ в электродах распределенных и сосредоточенных элементов на основе сегнетоэлектриков // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 4. февр. С. 5-13.