350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №1 за 2012 г.
Статья в номере:
Особенности технологической совместимости формирования слоистых гетероструктур на основе углеродных и перовскитных пленок
Ключевые слова: гетероструктура перовскитная сегнетоэлектрическая пленка алмазоподобная пленка ВЧ-распыление защитное покрытие полипараксилилен
Авторы:
М.С. Афанасьев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.). Е-mail: michaela2005@yandex.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, ст. науч. сотрудник, «НИИ «Информатика» МГТУ МИРЭА. Е-mail: fisika@mail.ru А.Ю. Митягин - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, профессор, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.). Е-mail: g_chucheva@mail.ru А.А. Назаренко - аспирант, МГТУ МИРЭА. Е-mail: alexandrnazarenco@gmail.com Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, Филиал института радиоэлектроники им. В.А. Котельникова РАН (г. Фрязино, Московской обл.). Е-mail: g_chucheva@mail.ru
Аннотация:
Рассмотрены технологические принципы получения слоистых гетероструктур на основе неорганических перовскитных и углеродсодержащих материалов. Определены оптимальные технологические условия совместимости формирования пленочных слоев гетероструктур. Показано, что в кислородсодержащей газовой среде при температуре подложки не превышающей 620 °С на ее поверхности формируется плёнка бария-титаната-стронция с устойчивой стехиометрической структурой, которая обладает сегнетоэлектрическими свойствами. Рассмотрены вопросы обеспечения защиты получаемых гетероструктур полимерными покрытиями на основе полипараксилиленов.
Страницы: 29-37
Список источников
  1. Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Ростов на Дону: ЮНЦ РАН. 2008.
  2. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / под ред. А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2011.
  3. Афанасьев М.С., Митягин А.Ю., Чучева Г.В. Перестраиваемая линия задержки СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2010. Т. 87. № 3. С. 3-6.4.
  4. Иванов В.И., Лучников П.А., Сигов А.С. Ионные технологии в производстве изделий электронной техники / под ред. А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2010.
  5. Афанасьев М.С., Иванов М.С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок BaxSr1-xTiO3 на различных подложках методом высокочастотного распыления // ФТТ. 2009. Т.51. № 7. С. 1259-1262.
  6. Лучников П.А, Лучников А.П., Сигов А.С., Топоров Ю.П. Стабилизация структуры и релаксация электретного заряда в вакуумных пленках поли-n-ксилилена / Межфазная релаксация в полиматериалах // Материалы международной НТК «ПОЛИМАТЕРИАЛЫ - 2003» (25-29 ноября 2003 г., Москва). М.: МИРЭА. 2003. Ч. 1. С. 234-239.
  7. Кардаш И.E., Пебалк А.В, Праведников A.H. Применение поли-п-ксилиленов // Химия и технология высокомолекулярных соединений. М.: ВИНИТИ АН СССР. Сер. Итоги науки и техники. 1984. Т. 19. С. 66-150.
  8. Маилян К.А., Пебалк А.В., Мишина Е.И., Кардаш И.Е. Физико-механические свойства и морфология поверхности пленок поли-п-ксилилена // Высокомолекулярные соединения А. 1991. Т. 33. № 7. С. 1530.
  9. Лущейкин Г.А., Пебалк А.В., Маилян К.А., Кардаш И.Е. Диэлектрические свойства и релаксационные явления в поли (хлор-паракси¬лилене) / Тонкие пленки и слоистые структуры // Материалы международной научно-технической конференции «ПЛЕНКИ-2002» (26-30 ноября 2002 г., Москва). М.: МИРЭА. 2002. Ч. 2. С. 58-50.