350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №3 за 2011 г.
Статья в номере:
Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии
Ключевые слова: ионо-пучковая диагностика резерфордовское обратное рассеяние сегнетоэлектрическая пленка перовскит оксид магния барий-стронций-титан
Авторы:
М.С. Афанасьев - к.т.н, ст. науч. сотрудник, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Е-mail: michaela2005@yandex.ru В.К. Егоров - к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, Институт проблем технологии микроэлектроники РАН (г. Черноголовка). Е-mail: egorov@ipmt-hpm.ac.ru Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Е-mail: g_chucheva@mail.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, Московский государственный технический университет МИРЭА. Е-mail: xdeltax@mail.ru А.В. Буров - инженер, Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Е-mail: byrov143@yandex.ru
Аннотация:
Методом ионо-пучковой диагностики проведены сравнительные исследования пленок Ba1-xSrxTiO3 (BSTO) толщиной 20-140 нм на монокристаллических подложках Si (100), MgO (100) и NdGaO3(100). Рассмотрены особенности метода резерфордовского обратного рассеяния (РОР) ионов гелия и водорода. Методом РОР исследованы пленки барий-стронциевого титаната (Ba1-xSrxTiO3) на различных подложках. Определена толщина наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на подложках, степень их элементной неоднородности по толщине, а также степень их диффузионного загрязнения атомами подложек
Страницы: 50-57
Список источников
  1. Shigetani H., Kobayashi K., Fujimoto M., Sugimura W., Matsui Y., Tanaka J. BaTiO3 thin films grown on SrTiO3 substrates by a molecular-beam-epitaxy method using oxygen radicals // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 693.
  2. Kaernmer K., Huelz H., Holzapfer B., Haessler W., Schultz L. Electrode influence on the polarization properties of BaTiO3 thin films prepared by off-axis laser deposition // J. Phys. D, Appl. Phys. 1997. V. 30. P. 522-526.
  3. Iijima K., Terashima T., Yamamoto K., Hirata K., Bando Y. Preparation of ferroelectric BaTiO3 thin films by activated reactive evaporation // J. Appl. Phys. Let. 1990. V. 56. P. 527-530.
  4. Hakazawa H., Yamane H. Hirai T. Metalorganic Chemical Vapor Deposition of BaTiO3 Films on MgO(100) // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. P. 2200-2203.
  5. Granicher H., Jakits O. // Nuovo Cimento Suppl. 1954. V. 11. P. 480.
  6. Chu W.K., Mayer J.M., Nikolet M.A. Backscattering Spectrometry. New York: Academic Press. 1978.
  7. Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск: Университетское. 1987.
  8. Doolittle L.R. Algorithm for the rapid simulation of Rutherford Backscattering spectra // NIM. B9. 1985. P. 344-351.
  9. Bird J.R., Wiiliams J.S. Ion beams for material analysis. Sidney: Academic Press. 1989.
  10. Егоров В.К., Егоров Е.В. Ионопучковые методы неразрушающего количественного контроля наноструктур // Материалы 10-й Междунар. НТК «Высокие технологии в промышленности России». М.: Техномаш. 2004. С. 82-103.
  11. Новицкий П.В., Зограф И.А. Оценка погрешностей результатов измерений. Л.: Энергоатомиздат. 1991.
  12. Klockenkamper R. Total Reflection X-ray fluorescence analysis. New York: Wiley. 1997.
  13. Егоров В.К., Егоров Е.В. Афанасьев М.С. Сравнительный анализ эффективности метода РФА ПВО в условиях применения волноводно-резонансного и щелевого формирователей потока возбуждения // Поверхность (рентг., синх., нейтр. исследования). 2008. № 11. С. 34-44.