350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №3 за 2014 г.
Статья в номере:
Особенности дефектообразования в нестехиометрических наноразмерных пленках ЦТС при их формировании золь-гель методом
Ключевые слова: ЦТС наноструктурированные пленки золь-гель метод пленкообразующий раствор свинец граница зерна сегнетоэлектрические свойства
Авторы:
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. Е-mail: vorotilov@mirea.ru Н.В. Мухин - к.т.н., ассистент, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Е-mail: muhinnv_leti@mail.ru
Аннотация:
Рассмотрены сегнетоэлектрические свойства наноструктурированных пленок ЦТС толщиной 180-200 нм, полученных золь-гель методом. Установлено, что наличие избытка свинца в пленкообразующем растворе приводит к увеличению площади границ зерен и снижению степени упорядоченности структуры пленки. При содержании в исходном пленкообразующем растворе сверхстехиометрического свинца 5-15 мол.%, получаемые пленки обладают наилучшими сегнетоэлектрическими свойствами.
Страницы: 18-22
Список источников

 

  1. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / Под ред. К.М. Рабе, Ч.Г. Анна, Ж.М. Трискона, пер. с англ. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. 2011. 440 с.
  2. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства: Минография / Под ред. А.С. Сигова. М.: Энергоатомиздат. 2011. 175 с.
  3. Мухин Н.В. Модель диффузии собственных дефектов в пленках цирконата-титаната свинца при термообработке на воздухе // Физика и химия стекла. 2014. Т. 40. № 2. С. 327−333.
  4. Пронин В.П., Сенкевич С.В., Каптелов Е.Ю., Пронин И.П. Аномальные потери свинца в тонких пленках PZT в процессе кристаллизации фазы перовскита // ФТТ. 2013. Т. 55. № 1. С. 92−94.
  5. Лайнс М., Глас А. Сегнетоэлектрики и родственные материалы. М.: Мир. 1981. 736 с.
  6. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: «Наука». 1979. 344 с.
  7. Sanjeev A., Ramesh R. Point defect chemistry of metal oxide heterostructures // Ann. rev. of materials research. 1998. V. 28. P. 463−499.
  8. Tagantsev A.K., Gerra G. Interface-induced phenomena in polarization response of ferroelectric thin films // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 051607.
  9. Афанасьев В.П., Мухин Н.В., Чигирев Д.А. Емкостная и зарядовая нестабильность в конденсаторных структурах на основе тонких пленок ЦТС // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2009. Т. 5. С. 12−18.