350 руб
Журнал «Наукоемкие технологии» №5 за 2012 г.
Статья в номере:
Технологический контроль элементного состава перовскитного слоя планарной наноструктуры, формируемой в ВЧ-плазме
Ключевые слова: ионопучковая диагностика резерфордовское обратное рассеяние сегнетоэлектрическая пленка перовскит оксид магния барий-стронций-титан
Авторы:
М.С. Афанасьев - к.т.н, ст. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: michaela2005@yandex.ru А.В. Буров - инженер, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: byrov143@yandex.ru В.К. Егоров - к.ф-м.н, ст. науч. сотрудник, ИПТМ РАН. E-mail: egorov@ipmt-hpm.ac.ru П.А. Лучников - зав. лабораторией, МГТУ МИРЭА. E-mail: fisika@mail.ru Г.В. Чучева - д.ф-м.н, зав. лабораторией, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. E-mail: g_chucheva@mail.ru
Аннотация:
Проведены исследования тонких перовскитных пленок барий-стронциевого титаната (Ba1-xSrxTiO3) на монокристаллических подложках типа Si [100], MgO [100] и NdGaO3 [100] методом резерфордовского обратного рассеяния (РОР) ионов гелия. Рассмотрены особенности метода РОР-спектроскопии и его ожидаемое следствие при анализе тонких перовскитных пленок Ba1-xSrxTiO3 на различных типах монокристаллических подложек. Определена степень их элементной неоднородности по толщине и степень диффузионного загрязнения атомами подложек.
Страницы: 53-57
Список источников
  1. Shigetani H., Kobayashi K., Fujimoto M., Sugimura W., Matsui Y., Tanaka J. BaTiO3 thin films grown on SrTiO3 substrates by a molecular-beam-epitaxy method using oxygen radicals // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. Р. 693.
  2. Kaernmer K., Huelz H., Holzapfer B., Haessler W., Schultz L. Electrode influence on the polarization properties of BaTiO3thin films prepared by off-axis laser deposition // J. Phys. D, Appl. Phys. 1997. V 30. P. 522-526.
  3. Iijima K., Terashima T., Yamamoto K., Hirata K., Bando Y. Preparation of ferroelectric BaTiO3 thin films by activated reactive evaporation // J. Appl. Phys. Let. 1990. V 56. Р. 527-530.
  4. Hakazawa H., Yamane H., Hirai T.Metalorganic Chemical Vapor Deposition of BaTiO3 Films on MgO(100) // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. Р. 2200-2203.
  5. Granicher H., Jakits O.  // Nuovo Cimento Suppl. 1954. V. 11. Р. 480.
  6. Chu W.K.,. Mayer J.M, Nikole M.A. Backscattering Spectrometry. New York: Academic Press. 1978.
  7. Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск: Университетское. 1987.
  8. Doolittle L.R. Algorithm for the rapid simulation of Rutherford Backscattering spectra // NIM. 1985. B9. Р. 344-351.
  9. Bird J.R., Wiiliams J.S. Ion beams for material analysis. Sidney: Academic Press. 1989.
  10. Егоров В.К., Егоров Е.В. Ионопучковые методы неразрушающего количественного контроля наноструктур // Материалы 10-й Международной НТК «Высокие технологии в промышленности России». М.: Техномаш. 2004. С. 82-103.
  11. Афанасьев М.С., Егоров В.К., Чучева Г.В., Лучников П.А., Буров А.В. Диагностика наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках методом РОР-спектроскопии // Наноматериалы и наноструктуры. 2011. № 3. С. 50-56.
  12. Klockenkamper R. Total Reflection X-ray fluorescence analysis. New York: Wiley. 1997