350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №2 за 2016 г.
Статья в номере:
Влияние тока утечки и релаксационных потерь на определение параметров гистерезиса сегнетоэлектрических наноструктур
Ключевые слова: сегнетоэлектрик наноструктура поляризация ток утечки цирконат титанат свинца (ЦТС) гистерезис
Авторы:
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К.А. Воротилов - д.т.н., директор НОЦ «Технологический центр», Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - д.ф-м.н., профессор, академик РАН, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: sigov@mirea.ru П.П. Лавров - аспирант, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru
Аннотация:
Рассмотрена методика определения с повышенной точностью остаточной поляризации и коэрцитивного поля наноразмерных сегнетоэлектрических структур путем измерения тока переключения сегнетоэлектрической поляризации на двух частотах. Эксперименты выполнялись на конденсаторных структурах с плотной и пористой пленками ЦТС толщиной от 200 до 1200 нм.
Страницы: 20-29
Список источников

 

  1. Scott J.F. The physics of ferroelectric ceramic thin films for memory applications // Ferroelectrics review. 1998. V. 1. № 1. P. 1-129.
  2. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С.Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат. 2011. 175 с.
  3. Grossmann M., Lohse O., Bolten D., Boettger U., Schneller T., Waser R.The interface screening model as origin of imprint in Pb(ZrxTi1-x)O3thin films, ii. Numerical simulation and verification // J. Appl. Phys. 2002. V.92. № 5. Р. 2688-2696.
  4. Podgorny Yu.V., Seregin D.S., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Effect of sol-gel film thickness on the hysteresis properties // Ferroelectrics. 2012. V.439. № 1. Р. 74-79.
  5. Tagantsev A.K., Gerra G.Interface-induced phenomena in polarization response of ferroelectric thin films. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. Р. 051607-051628.
  6. Miller S.L., Nasby R.D., Schwank J.R. et al.Device modeling of ferroelectric capacitors // Journal of applied physics. 1990. V. 8. № 12. Р. 6463-6471.
  7. Подгорный Ю.В., Воротилов K.A., Ланцев А.Н., Серегин Д.С., Сигов А.С. Влияние толщины наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на характеристики гистерезиса МДМ-структур // Наноматериалы и наноструктуры. 2012. Т. 3. С. 16-20.
  8. Lee J. et al. Built-in voltages and asymmetric polarization switching in Pb(Zr,Ti)O3 thin film capacitors // Applied Physics Letters. 1998. V. 72. № 25. Р. 3380-3382.
  9. Lee H.N., Hesse D., Zakharov N., Gösele U.Ferroelectric Bi3.25La0.75Ti3O12films of uniform a-axis orientation on silicon substrates // Science. 2002. V. 296. № 5575. Р. 2006-2009.
  10. Meyer R., Waser R., Prume K., Schmitz T., Tiedke S. Dynamic leakage current compensation in ferroelectric thin-film capacitor structures // Applied Physics Letters. 2005. V. 86. № 14. Р. 142907.
  11. Xiaogang C., Xi Y., Desheng Z., Liangying Z.Software compensation to the hysteresis loops of samples with high dielectric loss and high linear capacitor // Ferroelectrics. 2001, V. 259. № 1. Р. 55-60.
  12. Dawber M., Rabe K. M., Scott J. F. Physics of thin-film ferroelectric oxides // Reviews of modern physics. 2005. V. 77. № 4. Р. 1083.
  13. Dietz G.W., Schumacher M., Waser R., Streiffer S.K., Basceri C., Kingon A.I. Leakage currents in Ba0.7Sr0.3TiO3thin films for ultrahigh-density dynamic random access memories // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. № 5. Р. 2359-2364.
  14. Scott J.F. Models for the frequency dependence of coercive field and the size dependence of remanent polarization in ferroelectric thin films // Integrated Ferroelectrics. 1996. V. 12. № 2-4. Р. 71-81.
  15. Lohse O., Grossmann M., Boettger U., Bolten D., Waser R.Relaxation mechanism of ferroelectric switching in Pb(Zr,Ti)O3 thin films // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. № 4. Р. 2332-2336.
  16. Chen I.W., Wang Y.Activation field and fatigue of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 thin films // Applied Physics Letters. 1999. V. 75. № 26. Р. 4186-4188.
  17. Котова Н.М., Подгорный Ю.В., Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С. Влияние методики приготовления пленкообразующих растворов на электрофизические свойства сегнетоэлектрических пленок ЦТС // Нано- и микросистемная техника.2010. № 10. С. 11-16.
  18. Зубкова Е.Н., Абдуллаев Д.А., Серегин Д.С., Котова Н.М., Воротилов К.А. Особенности микроструктуры пористых пленок ЦТС // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2013. Т. 2. С. 82-86.
  19. Подгорный Ю.В., Воротилов К.А., Сигов А.С. Токи утечки в тонких сегнетоэлектрических пленках // Физика твердого тела. 2012. Т. 54. № 5. С. 911-914.
  20. Sigov A., Podgorny Y., Vorotilov K., Vishnevsky A. Leakage currents in ferroelectric thin films. // Phase Transition.2013. V. 86. № 11. Р. 1144-1151.
  21. Podgornyi Yu.V., Vishnevskii A.S., Vorotilov K.A., Lavrov P.P., Lantsev A.N. Electrophysical Properties of Lead Zirconate TitanateFilms Doped with Lanthanum // Russian Microelectronics 2014. V. 43. № 6. Р. 438-444.
  22. Podgornyi Yu.V., Vishnevskii A.S., Vorotilov K.A., Lavrov P.P., Lantsev A.N. Electrophysical Properties of Lead Zirconate TitanateFilms Doped with Lanthanum // Russian Microelectronics 2014. V. 43. № 6. Р. 438-444.
  23. Kotova N., Podgornyi Yu., Seregin D., Sigov A., Vishnevskii A., Vorotilov K. Effect of Lanthanum Doping on Leakage Currents of Sol-Gel PZT Thin Films //Ferroelectrics.2014. V. 465. Р. 54-59.
  24. Podgorny Yu., Vorotilov K., Lavrov P., Sigov A. Leakage currents in porous PZT films. // Ferroelectrics. 2015.