Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову сегнетоэлектрик
Проходной фазовращатель на основе сегнетоэлектрических управляющих элементов для работы в составе фазированной антенной решетки
М.Д. Парнес - к.т.н., гл. инженер ООО «Резонанс» (Санкт-Петербург) О.Г. Вендик - д.т.н., проф. кафедры СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург) А.Н. Васильев - аспирант кафедры СПбГЭТУ «ЛЭТИ» П.В. Логачев - нач. лаборатории НПО «ЛЭМЗ» (Москва) Р.Г. Шифман - зам. директора ОАО «Светлана-электронприбор» (Санкт-Петербург)
Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). E-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, зав. кафедрой, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет) А.А. Романов - начальник отделения, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл. П.Р. Машевич - к.т.н., зам. генерального директора, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл.
Наноструктурные особенности сегнетоэлектрических композиций, сформированных при различных температурах отжига слоя ЦТС
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, кафедра физики конденсированных сред, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru О.М. Жигалина - к.ф-м.н., с.н.с. Института Кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН (Москва) Д.С. Серегин - Аспирант, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
Перспективы использования сегнетоэлектриков для устройств СВЧ-диапазона
Ю. В. Гуляев - академик, директор, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН А. С. Бугаев - академик, зам. директора, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН А. Ю. Митягин - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, профессор, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Г. В. Чучева - д.ф.-м.н., ученый секретарь, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН М. С. Афанасьев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Особенности моделирования процесса переключения заряда в наноразмерных сегнетоэлектрических гетероструктурах
Ю. В. ПОДГОРНЫЙ - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К. А. ВОРОТИЛОВ - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru
Особенности моделирования процесса переключения заряда в наноразмерных сегнетоэлектрических гетероструктурах
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики. (технический университет). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru
Образование регулярных доменных структур при воздействии упругих волн на поверхность сегнетоэлектрик
В.В. Крутов - к. т. н., доцент, МИРЭА. E-mail: v_krutov@mirea.ru
Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). E-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, зав. кафедрой, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). А.А. Романов - начальник отделения, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл. П.Р. Машевич - к.т.н., зам. генерального директора, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл.
Влияние толщины наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на характеристики гистерезиса МДМ-структур
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: podgsom_2004@mail.ru K.A. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: vorotilov@mirea.ru А.Н. Ланцев - ст. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, ген. директор ЗАО «СКАН». E-mail: lan@scanru.ru Д.С. Серегин - к.т.н. ст. научн. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: d_seregin@mirea.ru А.С. Сигов - академик РАН, ректор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: assigov@yandex.ru
Критические явления в реальных сегнетоэлектрических кристаллах: теория и эксперимент
Б А. Струков - д.ф-м.н., профессор, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова. Е-mail: bstrukov@mail.ru И.В. Шнайдштейн - к.ф-м.н., доцент, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова. Е-mail: shnaidshtein@mail.ru
Фононная спектроскопия сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом в области гелиевых температур
Е.Н. Хазанов - д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). E-mail: khazanov@cplire.ru А.В. Таранов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). E-mail: taranov@cplire.ru
Фононная спектроскопия сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом в области гелиевых температур
Е.Н. Хазанов - д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) E-mail: khazanov@cplire.ru А.В. Таранов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) E-mail: taranov@cplire.ru
Влияние тока утечки и релаксационных потерь на определение параметров гистерезиса сегнетоэлектрических наноструктур
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К.А. Воротилов - д.т.н., директор НОЦ «Технологический центр», Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - д.ф-м.н., профессор, академик РАН, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: sigov@mirea.ru П.П. Лавров - аспирант, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru
Метод формирования тонких пленок с заданным стехиометрическим распределением состава по толщине

А.Е. Комлев1, В.А. Вольпяс2, Р.А. Платонов3, А.Г. Алтынников4, А.Б. Козырев5

1–5 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург, Россия)
 

Свойства сегнетоэлектрических композитов в микроволновом диапазоне

Л.А. Близнюк1, Н.В. Любецкий2, А.К. Летко3, Т.П. Петроченко4, В.И. Каско5

1–5 ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению» (г. Минск, Республика Беларусь)
4 tanya-petr@physics.by

Измерение свойств объемных сегнетоэлектриков в миллиметровом диапазоне с использованием диэлектрического волновода

Л.А. Близнюк1, Е.С. Максимович2, Н.В. Любецкий3, Т.П. Петроченко4, В.И. Каско5

1,3–5 ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению» (г. Минск, Республика Беларусь)
2,3 Белорусский государственный университет (г. Минск, Республика Беларусь)
2 ГНУ «Институт прикладной физики Национальной академии наук Беларуси» (г. Минск, Республика Беларусь)
1 tanya-petr@physics.by

Исследование элементов хранения на основе сегнетоэлектрика для производства энергонезависимой памяти (FeRAM)

И.В. Орехова1, А.Ю. Азов2, Г.В. Тимофеева3, С.Д. Серов4, И.В. Баранова5, А.В. Плотнов6

1–6 ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» (г. Саров, Россия)
1 ivstepanova@vniief.ru, 2 aazov@niiis.nnov.ru, 3 gtimofeeva@niiis.nnov.ru, 4 sdserov@vniief.ru, 5 petreeva@mail.ru, 6 aplotnov@niiis.nnov.ru