Журналы
Разделы книг
Статьи по ключевому слову сегнетоэлектрик
Проходной фазовращатель на основе сегнетоэлектрических управляющих элементов для работы в составе фазированной антенной решетки
М.Д. Парнес - к.т.н., гл. инженер ООО «Резонанс» (Санкт-Петербург) О.Г. Вендик - д.т.н., проф. кафедры СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург) А.Н. Васильев - аспирант кафедры СПбГЭТУ «ЛЭТИ» П.В. Логачев - нач. лаборатории НПО «ЛЭМЗ» (Москва) Р.Г. Шифман - зам. директора ОАО «Светлана-электронприбор» (Санкт-Петербург)
Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). E-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, зав. кафедрой, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет) А.А. Романов - начальник отделения, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл. П.Р. Машевич - к.т.н., зам. генерального директора, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл.
Наноструктурные особенности сегнетоэлектрических композиций, сформированных при различных температурах отжига слоя ЦТС
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, кафедра физики конденсированных сред, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru О.М. Жигалина - к.ф-м.н., с.н.с. Института Кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН (Москва) Д.С. Серегин - Аспирант, Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
Перспективы использования сегнетоэлектриков для устройств СВЧ-диапазона
Ю. В. Гуляев - академик, директор, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН А. С. Бугаев - академик, зам. директора, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН А. Ю. Митягин - д.ф.-м.н., гл. науч. сотрудник, профессор, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Г. В. Чучева - д.ф.-м.н., ученый секретарь, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН М. С. Афанасьев - к.т.н., ст. науч. сотрудник, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Особенности моделирования процесса переключения заряда в наноразмерных сегнетоэлектрических гетероструктурах
Ю. В. ПОДГОРНЫЙ - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К. А. ВОРОТИЛОВ - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru
Особенности моделирования процесса переключения заряда в наноразмерных сегнетоэлектрических гетероструктурах
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики. (технический университет). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Е-mail: vorotilov@mirea.ru
Образование регулярных доменных структур при воздействии упругих волн на поверхность сегнетоэлектрик
В.В. Крутов - к. т. н., доцент, МИРЭА. E-mail: v_krutov@mirea.ru
Формирование сегнетоэлектрических наноструктур для нового поколения устройств микро- и наноэлектроники
К.А. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). E-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - чл.-корр. РАН, зав. кафедрой, Московский государственный институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). А.А. Романов - начальник отделения, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл. П.Р. Машевич - к.т.н., зам. генерального директора, ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград Моск. обл.
Влияние толщины наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на характеристики гистерезиса МДМ-структур
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: podgsom_2004@mail.ru K.A. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: vorotilov@mirea.ru А.Н. Ланцев - ст. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, ген. директор ЗАО «СКАН». E-mail: lan@scanru.ru Д.С. Серегин - к.т.н. ст. научн. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: d_seregin@mirea.ru А.С. Сигов - академик РАН, ректор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: assigov@yandex.ru
Критические явления в реальных сегнетоэлектрических кристаллах: теория и эксперимент
Б А. Струков - д.ф-м.н., профессор, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова. Е-mail: bstrukov@mail.ru И.В. Шнайдштейн - к.ф-м.н., доцент, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова. Е-mail: shnaidshtein@mail.ru
Фононная спектроскопия сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом в области гелиевых температур
Е.Н. Хазанов - д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). E-mail: khazanov@cplire.ru А.В. Таранов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва). E-mail: taranov@cplire.ru
Фононная спектроскопия сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом в области гелиевых температур
Е.Н. Хазанов - д.ф.-м.н., профессор, вед. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) E-mail: khazanov@cplire.ru А.В. Таранов - к.ф.-м.н., ст. науч. сотрудник, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва) E-mail: taranov@cplire.ru
Влияние тока утечки и релаксационных потерь на определение параметров гистерезиса сегнетоэлектрических наноструктур
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru К.А. Воротилов - д.т.н., директор НОЦ «Технологический центр», Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: vorotilov@mirea.ru А.С. Сигов - д.ф-м.н., профессор, академик РАН, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: sigov@mirea.ru П.П. Лавров - аспирант, Московский технологический университет (МИРЭА). Е-mail: podgsom_2004@mail.ru
Метод формирования тонких пленок с заданным стехиометрическим распределением состава по толщине

А.Е. Комлев1, В.А. Вольпяс2, Р.А. Платонов3, А.Г. Алтынников4, А.Б. Козырев5

1–5 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» (Санкт-Петербург, Россия)
 

Свойства сегнетоэлектрических композитов в микроволновом диапазоне

Л.А. Близнюк1, Н.В. Любецкий2, А.К. Летко3, Т.П. Петроченко4, В.И. Каско5

1–5 ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению» (г. Минск, Республика Беларусь)
4 tanya-petr@physics.by