350 руб
Журнал «Наноматериалы и наноструктуры - XXI век» №3 за 2012 г.
Статья в номере:
Влияние толщины наноразмерных сегнетоэлектрических пленок на характеристики гистерезиса МДМ-структур
Ключевые слова: золь-гель метод сегнетоэлектрическая пленка наноразмерный эффект нарушенный слой остаточная поляризация крутизна коэрцитивное поле
Авторы:
Ю.В. Подгорный - к.т.н., вед. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: podgsom_2004@mail.ru K.A. Воротилов - д.т.н., профессор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: vorotilov@mirea.ru А.Н. Ланцев - ст. науч. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, ген. директор ЗАО «СКАН». E-mail: lan@scanru.ru Д.С. Серегин - к.т.н. ст. научн. сотрудник, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: d_seregin@mirea.ru А.С. Сигов - академик РАН, ректор, Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики. E-mail: assigov@yandex.ru
Аннотация:
Исследования показали, что при уменьшении толщины сегнетоэлектрических пленок в структурах металл/сегнетоэлектрик/металл уменьшаются остаточная поляризация и крутизна петель диэлектрического гистерезиса, в тоже время напряженность коэрцитивного поля возрастает. Экспериментальные результаты находятся в хорошей корреляции с моделью нарушенного слоя на поверхности раздела электрод/пленка ЦТС.
Страницы: 16-20
Список источников
  1. Miller S. L., Nasby R. D., Schwank J. R., Rodgers M. S., and Dressendorfer P. V., Device modeling of ferroelectric capacitors // J. Appl. Phys.1990. V. 68. Р. 6463.
  2. Tagantsev A. K., Landivar M., Colla E., and Setter N. Identification of passive layer in ferroelectric thin films from their switching parameters // J. Appl. Phys. 1995. V. 78.Р. 2623.
  3. Tagantsev A. K., Gerra G. Interface-induced phenomena in polarization response of ferroelectric thin films // J. Appl, Physi. 2006. V. 100, 051607. P. 1-28.
  4. Воротилов К.А., Мухортов В.М. Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат. 2011.
  5. Котова Н.М., Подгорный Ю.В., Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С. Влияние методики приготовления пленкообразующих растворов на электрофизические свойства сегнетоэлектрических пленок ЦТС // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 10. C. 11-16.
  6. Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I., Dorokhova O.A. Effect of annealing conditions on alkoxy-derived PZT thin films. Microstructural and CV study // Integrated Ferroelectrics. 1993. V. 3, P. 33-49.
  7. Pintilie L., Alexe M. Metal-ferroelectric-metal heterostructures with Schottky contacts: I. Influence of the ferroelectric properties // J. App. Phys. 2005, V. 98. 124103. P. 1-8.
  8. Meng Qin, Kui Yao, Yung C. Liang, Bee Keen Gan,.Stability and magnitude of photovoltage in ferroelectric (Pb0.97La0.03)(Zr0.52Ti0.48)O3thin films in multi-cycle UV light illumination // Integrated Ferroelectrics. 2007. V. 95. P. 105-116.
  9. Dawber M., and J. F. Scott. Negative Differential Resistivity and Positive Temperature Coefficient of Resistivity effect in the diffusion limited current of ferroelectric thin film capacitors // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. V. 16. Р. L515.
  10. Sze S.M. & Ng Kwok K.. Physics of Semiconductor Devices. (Jon Wiley and Sons, New York, 2007. Third Edition.
  11. Pintilie Lu., Vrejoiu I., Hesse D., and Alexe M.The influence of the top-contact metal on the ferroelectric properties of epitaxial ferroelectric Pb(Zr0.2Ti0.8)O3thin films // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. 114101.
  12. Dey S., Lee J.-J., Alluri P. Electrical Properties of Paraelectric (Рb0.72Lа0.28)ТiO3 Thin Films with High Linear Dielectric Permittivity: Schottky and Ohmic Contacts // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. Part 1. V. 34. P. 3142.